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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利一种纳米圆台制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118963072B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411357339.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种纳米圆台制备方法是由赵永康设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纳米圆台制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种纳米圆台制备方法，包括如下步骤：步骤一：构建涂覆光刻胶的晶圆裸片FEM模型，根据需要的圆台尺寸，建立晶圆裸片曝光能量值与曝光焦距矩阵，使用所述晶圆裸片曝光能量值与曝光焦距矩阵参数进行曝光、显影得到圆台结构，测量圆台结构关键尺寸并与所述需要的所述圆台结构关键尺寸比较，得到最优曝光能量值与最优曝光焦距矩阵；步骤二：按照最优曝光能量值的40％以及曝光焦距为0um在涂覆光刻胶的晶圆上进行一次曝光；并构建二次曝光FEM模型，二次曝光能量基础值为最优曝光能量值的70％，二次曝光基础焦距基础值为所述最优曝光焦距，建立二次曝光能量值与二次曝光焦距矩阵，使用步骤一中方法，得到最优二次曝光能量值以及最优二次曝光焦距。

本发明授权一种纳米圆台制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米圆台制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一：构建晶圆裸片FEM模型，根据需要的圆台尺寸，设定曝光能量基础值以及曝光焦距基础值，建立晶圆裸片曝光能量值与曝光焦距矩阵，使用所述晶圆裸片曝光能量值与曝光焦距矩阵中的参数进行曝光、显影得到圆台结构，测量圆台结构关键尺寸并与所述需要的所述圆台结构关键尺寸比较，得到最优曝光能量值与最优曝光焦距； 步骤二：按照步骤一得到的最优曝光能量值的40％以及曝光焦距为0um在涂覆光刻胶的晶圆上进行一次曝光； 并构建二次曝光FEM模型，二次曝光能量基础值为步骤一得到的最优曝光能量值的70％，二次曝光基础焦距基础值为步骤一得到的所述最优曝光焦距，建立二次曝光能量值与二次曝光焦距矩阵，使用所述二次曝光能量值与二次曝光焦距矩阵中的参数在一次曝光的晶圆上进行二次曝光、显影得到圆台结构，测量圆台结构关键尺寸并与需要的圆台关键尺寸比较，得到最优二次曝光能量值以及最优二次曝光焦距； 步骤三：使用步骤二得出的一次曝光参数以及二次曝光参数在涂覆光刻胶的晶圆上进行曝光、显影后得到需要的所述纳米圆台结构。

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