台积电(中国)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司张伟获国家专利权
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龙图腾网获悉台积电(中国)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223297946U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422394432.7，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型半导体装置是由张伟;桂林春;朱继平设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括n型埋层、第一N阱区、p型体区、第一源极漏极区、第二源极漏极区、栅极结构、第二N阱区及第一硅化物区。该n型埋层位于基板中。该第一N阱区位于该n型埋层上方。该p型体区与该第一N阱区相邻。该第一源极漏极区位于该第一N阱区中。该第二源极漏极区位于该p型体区中。该栅极结构延伸跨越该第一N阱区及该p型体区的边界。该第二N阱区位于该n型埋层上方。该第一硅化物区与该第二N阱区形成肖特基接触。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 一n型埋层，位于一基板中； 一第一N阱区，位于该n型埋层上方； 一p型体区，与该第一N阱区相邻； 一第一源极漏极区，位于该第一N阱区中； 一第二源极漏极区，位于该p型体区中； 一栅极结构，延伸跨越该第一N阱区及该p型体区的一边界； 一第二N阱区，位于该n型埋层上方；及 一第一硅化物区，与该第二N阱区形成一肖特基接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台积电(中国)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：201616 上海市松江区文翔路4000号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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