常州承芯半导体有限公司邹道华获国家专利权
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龙图腾网获悉常州承芯半导体有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223297936U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422435448.8，技术领域涉及：H10D10/80；该实用新型半导体结构是由邹道华;刘昱玮设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包括：基底；位于所述基底上的集电极层；位于所述集电极层上的基极层；位于所述基极层上的若干发射极层和若干基极接触层，所述若干发射极层沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，各所述基极接触层位于相邻所述发射极层之间，各所述基极接触层包括相邻的引出区和主体区，沿所述第二方向，所述引出区具有第一尺寸，所述主体区具有第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸；基极导电层，所述基极导电层与所述引出区电连接，从而减少了基极层和集电极层之间的寄生电容即结电容CBC，利于提高器件的截止频率与射频增益。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 位于所述基底上的集电极层； 位于所述集电极层上的基极层； 位于所述基极层上的若干发射极层和若干基极接触层，所述若干发射极层沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，各所述基极接触层位于相邻所述发射极层之间，各所述基极接触层包括相邻的引出区和主体区，沿所述第二方向，所述引出区具有第一尺寸，所述主体区具有第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸； 基极导电层，所述基极导电层与所述引出区电连接。
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