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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利纳米晶铁心漏磁涡流损耗测量方法、系统、介质及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119087049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411408835.0，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权纳米晶铁心漏磁涡流损耗测量方法、系统、介质及设备是由祝令瑜;刘占磊;汲胜昌;党永亮设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本纳米晶铁心漏磁涡流损耗测量方法、系统、介质及设备在说明书摘要公布了：公开了纳米晶铁心漏磁涡流损耗测量方法、系统、介质及设备，将纳米晶铁心高频变压器的副边绕组短路，将阻抗测量仪器的两个端子夹在变压器的原边绕组上，采用阻抗测量仪器测量高频变压器在短路条件下的交流电阻R ac,nano，选取与所述纳米晶铁心高频变压器相同结构和尺寸的铁氧体铁心和绕组，构成具有相同结构和尺寸的铁氧体铁心高频变压器，采用阻抗测量仪器测量铁氧体铁心变压器在短路条件下的交流电阻R ac,ferrite，纳米晶铁心高频变压器计算纳米晶铁心高频变压器在短路条件下的漏磁通分布，并计算纳米晶铁心的磁损耗密度然后积分得到纳米晶铁心总的磁损耗P c,nano；通过作差法得到纳米晶铁心高频变压器的漏磁涡流损耗。

本发明授权纳米晶铁心漏磁涡流损耗测量方法、系统、介质及设备在权利要求书中公布了：1.一种高频变压器纳米晶铁心漏磁涡流损耗测量方法，其特征在于，其包括以下步骤： 将纳米晶铁心高频变压器的副边绕组短路，将阻抗测量仪器的两个端子夹在变压器的原边绕组上，采用阻抗测量仪器测量高频变压器在短路条件下的交流电阻R ac,nano，其中，所述交流电阻由绕组交流电阻R w,nano、漏磁涡流损耗等效电阻R leakage和铁芯损耗等效电阻R c,nano构成，即R ac,nano=R w,nano+R leakage+R c,nano； 选取与所述纳米晶铁心高频变压器的纳米晶铁心和绕组具有相同结构和尺寸的铁氧体铁心和绕组，构成具有相同结构和尺寸的铁氧体铁心高频变压器，将铁氧体铁心高频变压器的副边绕组短路，将阻抗测量仪器的两个端子夹在变压器的原边绕组上，采用阻抗测量仪器测量铁氧体铁心变压器在短路条件下的交流电阻R ac,ferrite，其中，交流电阻R ac,ferrite仅包含铁氧体铁心高频变压器的绕组交流电阻R w,ferrite，即R ac,ferrite=R w,ferrite，纳米晶铁心高频变压器与铁氧体铁心高频变压器的铁心窗口中的漏磁场分布是相同的，纳米晶铁心高频变压器和铁氧体铁心高频变压器两个变压器的绕组交流电阻相同，且R w,nano=R w,ferrite=R ac,ferrite； 计算纳米晶铁心高频变压器在短路条件下的漏磁通分布，并计算纳米晶铁心的磁损耗密度然后积分得到纳米晶铁心总的磁损耗P c,nano；然后通过作差法得到纳米晶铁心高频变压器的漏磁涡流损耗。

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