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龙图腾网获悉中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利单晶生长的方法、单晶生长设备及其控制装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119392355B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411505166.9，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权单晶生长的方法、单晶生长设备及其控制装置是由李向阳;黄末;张聪设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本单晶生长的方法、单晶生长设备及其控制装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种单晶生长的方法、单晶生长设备及其控制装置，该方法包括：等径生长阶段中，晶棒实际直径与时间t之间的初始函数记为D＝F0t，当F0t满足预设条件时，锁定晶体的提拉速率，并利用依次后续n个不同测量时刻晶棒实际直径的测量结果对初始函数进行分段校正，以得到校正后的分段函数D＝Fht，计算对应时刻的Fh't，通过Fh'tAh*ωh与设定值x进行比较，来调节单晶炉中的加热功率，从而实现对晶棒直径精确的控制，减小实际直径波动幅度。

本发明授权单晶生长的方法、单晶生长设备及其控制装置在权利要求书中公布了：1.一种单晶生长的方法，其特征在于，包括： 等径生长阶段中，晶棒实际直径与时间t之间的初始函数记为D＝F0t，F0t＝A0*sinω0*t+Φ+d、或、F0t＝A0*cosω0*t+Φ+d，d为晶棒目标直径，A0为初始振幅，ω0为初始角频率，Ф为初相位； 当F0t满足预设条件时，锁定晶体的提拉速率，并依次利用后续n个不同测量时刻晶棒实际直径的测量结果对初始函数进行分段校正，以得到校正后的分段函数D＝Fht，Fht＝Ah*sinωh*t+Φ+d、或、Fht＝Ah*cosωh*t+Φ+d，其中Ah为校正后的振幅，ωh为校正后的角频率，D＝Fht包括多个子函数： t0时刻晶棒实际直径与时间t之间的函数为初始函数D＝F0t； t1时刻经过校准后的晶棒实际直径与时间t之间的函数D＝F1t；以及， tz时刻经过校准后的晶棒实际直径与时间t之间的函数D＝Fzt，Fzt＝Az*sinωz*t+Φ+d、或、Fzt＝Az*cosωz*t+Φ+d，tz时刻为满足所述预设条件后第z个测量时刻，z为正整数且2≤z≤n； 计算对应时刻的F′ht，如果F′htAh*ωh≥设定值x，则增大加热功率且增加量为ΔP1；如果F′htAh*ωh＜0且|F′htAh*ωh|≥设定值x，则减小加热功率且减小量为ΔP2，其中Ah、ωh分别为th时刻的振幅和角频率，设定值x＞0， 其中，相邻两次测量中，后一次测量对应参数A与ω中的其中一个与前一次测量对应参数相等，另一个通过计算得出以实现一次校正； ΔP1＝m1*|F′htAh*ωh|，ΔP2＝m2*|F′htAh*ωh|，m1、m2均为控温系数，0m1≤15、0m2≤15； F′htAh*ωh＜设定值x时， 如果Fht＞d，且F′ht＞0，增大实际液口距；如果Fht＞d，且F′ht＜0，减小实际液口距；如果Fht＜d，且F′ht＜0，减小实际液口距；如果Fht＜d，且F′ht＞0，增大实际液口距。

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