无锡亿思半导体有限公司徐琴获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡亿思半导体有限公司申请的专利一种测试装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223296556U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422603975.5，技术领域涉及：G11C29/56；该实用新型一种测试装置是由徐琴;孙红新;蒋小良设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测试装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种测试装置，包括：测试板；设置在测试板上的主控制器；设置在测试板上的存储器模块，存储器模块包括SRAM模块、NORFLASH模块、NANDFLASH模块及PCCARD模块；分别和各存储器模块相连接的多个读写接口；其中，主控制器用于和目标MCU芯片通讯连接，以向目标MCU芯片发送测试指令；各个存储器模块用于通过各读写接口与目标MCU芯片中待测FSMC模块的各个待测读写接口相连接，并接收待测FSMC模块的读写操作。本申请针对FSMC模块的读写功能配置多个不同的存储器模块，进而模拟FSMC模块读写操作流程，实现读写功能测试，有效降低MCU芯片设计的时间成本和测试成本。
本实用新型一种测试装置在权利要求书中公布了：1.一种测试装置，其特征在于，用于测试内置有FSMC模块的目标MCU芯片，所述测试装置包括： 测试板； 设置在所述测试板上的主控制器； 设置在所述测试板上的存储器模块，所述存储器模块包括SRAM模块、NORFLASH模块、NANDFLASH模块以及PCCARD模块； 分别和各所述存储器模块相连接的多个读写接口； 其中，所述主控制器用于和所述目标MCU芯片通讯连接，以向所述目标MCU芯片发送测试指令； 各个所述存储器模块用于通过各所述读写接口与所述目标MCU芯片中待测FSMC模块的各个待测读写接口相连接，并接收所述待测FSMC模块的读写操作。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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