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龙图腾网获悉度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司申请的专利半导体激光器的外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120109650B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510593718.4，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权半导体激光器的外延结构及其制备方法是由刘育衔;吴文俊;唐松;杨国文设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体激光器的外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体激光器的外延结构及其制备方法。外延结构包括：自下而上层叠设置的第一波导层，第一阻挡层，第一势垒层，量子阱层，第二势垒层，第二阻挡层，第二波导层。通过调节第一波导层、第一势垒层、第二势垒层和第二波导层中铝元素和镓元素的不同含量，调节第一阻挡层中镓元素和铟元素的不同含量，以及调节第二阻挡层中，铝元素、镓元素和铟元素的不同含量，使得第一导带差ΔEc11＞70meV，第二价带差ΔEv21＞240meV，第一价带差ΔEv11和第二导带差ΔEc21均小于或等于0meV。该外延结构可以很好的平衡对电子和空穴的限制作用，使得外延结构对于载流子的限制能力最佳，提升器件的输出效率。

本发明授权半导体激光器的外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器的外延结构，包括：自下而上层叠设置的第一波导层，第一阻挡层，第一势垒层，量子阱层，第二势垒层，第二阻挡层，第二波导层，其特征在于： 所述第二阻挡层和所述第二势垒层之间的第一导带差ΔEc11＞70meV，所述第一阻挡层和所述第一势垒层之间的第二价带差ΔEv21＞240meV，所述第二阻挡层和所述第二波导层之间的第一价带差ΔEv11=ameV，以及所述第一阻挡层和所述第一波导层之间的第二导带差ΔEc21=bmeV，其中，a≤0，b≤0； 所述第一波导层为Alx2Ga1-x2As，0.2≤x2≤0.4； 所述第一阻挡层为Gax3In1-x3P，x3≥0.55； 所述第一势垒层为Alx4Ga1-x4As，0.05≤x4≤0.20； 所述第二势垒层为Alx6Ga1-x6As，0.05≤x6≤0.20； 所述第二阻挡层为Alx7Gay7In1-x7-y7As，1-x7-y7＜0.2，0.25≤x7≤0.45； 所述第二波导层为Alx8Ga1-x8As，0.20≤x8≤0.30。

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