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季华实验室赵渝宁获国家专利权

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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种厚金刚石膜高速制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120231013B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510710192.3,技术领域涉及:C23C16/27;该发明授权一种厚金刚石膜高速制备方法是由赵渝宁;吴进;郭可升;陈怡如;何斌设计研发完成,并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种厚金刚石膜高速制备方法在说明书摘要公布了:本申请属于金刚石制备技术领域,公开了一种厚金刚石膜高速制备方法,该方法包括:利用无水乙醇将金刚石颗粒均匀铺满在衬底上,将衬底放置在MPCVD系统内部的样品台上,通入氢气并将MPCVD系统内部缓慢升温至预设的清洗温度以对衬底的表面进行等离子体清洗,基于生长氢气流量、甲烷气体流量、生长功率、生长温度和生长气压,通过分段生长法,促进衬底的表面上各金刚石颗粒的间隙间生长纳米级金刚石以连接各金刚石颗粒,得到致密且均匀的粗糙厚金刚石膜,对粗糙厚金刚石膜进行抛光,得到表面光滑的厚金刚石膜;通过分段生长法,利用氢气和甲烷气体,在铺满了一层金刚石颗粒的衬底上生长得到厚金刚石膜,提高了厚金刚石膜高速制备的效率。

本发明授权一种厚金刚石膜高速制备方法在权利要求书中公布了:1.一种厚金刚石膜高速制备方法,用于快速制备厚金刚石膜,其特征在于,包括步骤: 利用无水乙醇将金刚石颗粒均匀铺满在衬底上; 将铺满金刚石颗粒的衬底放置在MPCVD系统内部的样品台上,通入氢气并将所述MPCVD系统内部缓慢升温至预设的清洗温度以对所述铺满金刚石颗粒的衬底的表面进行等离子体清洗; 基于预设的生长氢气流量、预设的甲烷气体流量、预设的生长功率、预设的生长温度和预设的生长气压,通过分段生长法,促进所述铺满金刚石颗粒的衬底的表面上各所述金刚石颗粒的间隙间生长纳米级金刚石,以通过所述纳米级金刚石连接各所述金刚石颗粒,得到致密且均匀的粗糙厚金刚石膜; 对所述粗糙厚金刚石膜进行抛光,得到表面光滑的厚金刚石膜; 所述预设的甲烷气体流量包括预设的第一甲烷气体流量和预设的第二甲烷气体流量;所述预设的生长功率包括预设的第一生长功率、预设的第二生长功率和预设的第三生长功率;所述预设的生长温度包括预设的第一生长温度、预设的第二生长温度和预设的第三生长温度;所述预设的生长气压包括预设的第一生长气压、预设的第二生长气压和预设的第三生长气压; 基于预设的生长氢气流量、预设的甲烷气体流量、预设的生长功率、预设的生长温度和预设的生长气压,通过分段生长法,促进所述铺满金刚石颗粒的衬底的表面上各所述金刚石颗粒的间隙间生长纳米级金刚石,以通过所述纳米级金刚石连接各所述金刚石颗粒,得到致密且均匀的粗糙厚金刚石膜,包括: 向所述MPCVD系统内部通入所述预设的第一甲烷气体流量的甲烷气体,并基于所述预设的第一生长功率、所述预设的第一生长温度和所述预设的第一生长气压,结合预设的第一生长时间,进行初步促进生长操作,使所述铺满金刚石颗粒的衬底的表面上各所述金刚石颗粒的间隙之间开始生长纳米级金刚石; 调节氢气的流量为预设的生长氢气流量,调节甲烷气体的流量为所述预设的第二甲烷气体流量,调节所述MPCVD系统内部的功率为所述预设的第二生长功率,调节所述MPCVD系统内部的温度为所述预设的第二生长温度,以及调节所述MPCVD系统内部的气压为所述预设的第二生长气压,以在预设的第二生长时间对所述衬底进行一阶段生长,使各所述金刚石颗粒的间隙之间的纳米级金刚石逐渐变大并在变大过程逐渐与各所述金刚石颗粒接触并连接; 在所述预设的第二生长时间后,保持氢气和甲烷气体的流量不变,调节所述MPCVD系统内部的功率为所述预设的第三生长功率,调节所述MPCVD系统内部的温度为所述预设的第三生长温度,以及调节所述MPCVD系统内部的气压为所述预设的第三生长气压,以在所述预设的第二生长时间对所述衬底进行二阶段生长,使各所述金刚石颗粒的间隙之间的纳米级金刚石与各所述金刚石颗粒紧密连接并共同生长; 完成二阶段生长后,缓慢将所述MPCVD系统内部的功率调节为零,同时,缓慢将所述MPCVD系统内部的温度和气压分别降低至室温和室压,并在降温过程中,缓慢降低氢气和甲烷气体的流量为零,等到所述铺满金刚石颗粒的衬底调节到室温后,在所述铺满金刚石颗粒的衬底的表面上制备得到致密且均匀的粗糙厚金刚石膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人季华实验室,其通讯地址为:528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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