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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利MOSFET器件的元胞结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510775873.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权MOSFET器件的元胞结构及其制备方法是由金锐;李翠;聂瑞芬;和峰;孙琬茹;葛欢;李哲洋;崔翔设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOSFET器件的元胞结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MOSFET器件的元胞结构及其制备方法，包括：衬底，衬底包括相对的第一表面和第二表面；外延层，位于第一表面上，外延层远离衬底的表面为第三表面，外延层与衬底的掺杂类型相同；元胞区，位于外延层靠近第三表面的部分，元胞区包括源极结构和栅极结构，在第一方向上，源极结构和栅极结构呈非直线型，在第二方向上，源极结构与栅极结构交替排布，第一方向和第二方向分别与衬底的厚度方向垂直。改善了现有技术中MOSFET器件的导通特性和短路特性需要折中优化的技术问题。

本发明授权MOSFET器件的元胞结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件的元胞结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面； 外延层，位于所述第一表面上，所述外延层远离所述衬底的表面为第三表面，所述外延层与所述衬底的掺杂类型相同； 元胞区，位于外延层靠近所述第三表面的部分，所述元胞区包括源极结构和栅极结构，在第一方向上，所述源极结构和栅极结构呈非直线型，在第二方向上，所述源极结构与所述栅极结构交替排布，所述第一方向和所述第二方向分别与所述衬底的厚度方向垂直， 所述栅极结构在所述第二表面上的正投影包括第一宽部和第一窄部，所述源极结构在所述第二表面上的正投影包括第二宽部和第二窄部，所述第一宽部和所述第一窄部在所述第一方向上交替排布，所述第二宽部和所述第二窄部在所述第一方向上交替排布，所述第一宽部和所述第二窄部在第二方向上交替排布，所述第二宽部和所述第一窄部在所述第二方向上交替排布， 所述元胞区还包括： 第一掺杂区，位于所述栅极结构靠近所述衬底的一侧，并且所述第一掺杂区在所述衬底上的投影与所述第一宽部交叠，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型不同； 第二掺杂区，位于所述源极结构靠近所述衬底的一侧，并且所述第二掺杂区在所述衬底上的投影与所述第二宽部交叠，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型不同。

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