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四川科尔威光电科技有限公司孙世刚获国家专利权

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龙图腾网获悉四川科尔威光电科技有限公司申请的专利基于交替遮蔽与溅射时序控制的正-侧壁金属化厚度一致性控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120366717B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510820199.0,技术领域涉及:C23C14/35;该发明授权基于交替遮蔽与溅射时序控制的正-侧壁金属化厚度一致性控制方法是由孙世刚;张国云;徐健;杜晶设计研发完成,并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

基于交替遮蔽与溅射时序控制的正-侧壁金属化厚度一致性控制方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于交替遮蔽与溅射时序控制的正‑侧壁金属化厚度一致性控制方法,属于集成电路制造领域,包括以下步骤:S1,取陶瓷基板;S2,在陶瓷基板侧壁表面贴覆胶带;S3,陶瓷基板正面金属化;S4,剥离陶瓷基板侧壁的胶带,在陶瓷基板的正面贴覆胶带;S5,陶瓷基板侧面金属化;其中,kTi=t2Tit1Ti=RTisideRTifront,kPt=t2Ptt1Pt=RPtsideRPtfront,kAu=t2Aut1Au=RAusideRAufront。本发明以获得正侧壁Ti、Pt、Au厚度一致性。

本发明授权基于交替遮蔽与溅射时序控制的正-侧壁金属化厚度一致性控制方法在权利要求书中公布了:1.一种基于交替遮蔽与溅射时序控制的正-侧壁金属化厚度一致性控制方法,其特征在于,包括以下步骤: S1,取陶瓷基板; S2,在陶瓷基板侧壁表面贴覆胶带,胶带为耐温≥300℃的胶带; S3,陶瓷基板正面金属化:从溅射源向陶瓷基板溅射沉积TiPtAu,溅射为磁控溅射,溅射条件: Ti靶,溅射功率500W~900W,Ar气压流量15sccm~30sccm,Ti正面沉积速率RTiside,溅射时间t1Ti; Pt靶,溅射功率500W~900W,Ar气压流量15sccm~30sccm,Pt正面沉积速率RPtside,溅射时间t1Pt; Au靶,溅射功率500W~900W,Ar气压流量15sccm~30sccm,Au正面沉积速率RAuside,溅射时间t1Au; S4,剥离陶瓷基板侧壁的胶带,在陶瓷基板的正面贴覆胶带; S5,陶瓷基板侧面金属化:从溅射源向陶瓷基板溅射沉积TiPtAu,溅射为磁控溅射,溅射条件: Ti靶,溅射功率700W~1000W,Ar气压流量15sccm~30sccm,Ti侧面沉积速率RTifront,溅射时间t2Ti; Pt靶,溅射功率700W~1000W,Ar气压流量15sccm~30sccm,Pt侧面沉积速率RPtfront,溅射时间t2Pt; Au靶,溅射功率700W~1000W,Ar气压流量15sccm~30sccm,Au侧面沉积速率RAufront,溅射时间t2Au; 其中,kTi=t2Tit1Ti=RTisideRTifront,kPt=t2Ptt1Pt=RPtsideRPtfront,kAu=t2Aut1Au=RAusideRAufront。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人四川科尔威光电科技有限公司,其通讯地址为:610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区青栏路1443号3号楼1单元4楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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