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龙图腾网获悉上海芯龙半导体技术股份有限公司申请的专利一种抖频电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120377648B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510873227.5，技术领域涉及：H02M1/44；该发明授权一种抖频电路是由许锦龙;李瑞平设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抖频电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种抖频电路，其振荡级具有比较器COMP1和反相器INV1，配合电压源形成的参考电压VREF的变动，实现滞回比较器的功能，其基准电压控制级包括：第四NMOS管NM4接收第五PMOS管PM5的电流生成新的偏置电压，由PMOS管组成的跨导放大器的折叠输入级并分别连接其他电路电压VM和比较电压VCAP,第十四PMOS管PM14、第三电阻R3、第二电容C2组成基准电压电路，用于生成振荡器参考电压VOSCREF，所述振荡器参考电压VOSCREF输入共源共栅级转化所述折叠输入级的电流差，实现几乎线性的跨导放大。经本申请实现抖频功能，使开关电源的噪声下降，更容易实现电磁兼容，减少电源设计者的劳动。

本发明授权一种抖频电路在权利要求书中公布了：1.一种抖频电路，其包括作为第一级电路STAGE1的振荡级和作为第二级电路STAGE2的基准电压控制级，其特征在于： 所述振荡级包括：比较器COMP1和反相器INV1，配合电压源的高电压VH与低电压VL形成的参考电压VREF的变动，实现滞回比较器的功能，第一、二PMOS管PM1、PM2组成电流镜，用于成比例复制电流源I1的电流，所述第二PMOS管PM2同第三PMOS管PM3组成电流镜，第一、二NMOS管NM1、NM2组成电流镜，第四PMOS管PM4用于控制所述第三PMOS管PM3的电流是否可以流入所述比较器COMP1的比较电压VCAP节点；第三NMOS管NM3用于控制所述比较电压VCAP节点的电流是否可以流入所述第二NMOS管NM2； 所述第二、三PMOS管PM2、PM3的有效宽长比的比值等于所述第一、二NMOS管NM1、NM2的有效宽长比的比值，所述第一、二、三PMOS管PM1、PM2、PM3共源极至电源VDD且共栅极连接所述电流源I1，所述第一、二NMOS管NM1、NM2共源极并接地且共栅极并连接所述第二PMOS管PM2的漏极和所述第一NMOS管NM1的漏极，所述第一PMOS管PM1的漏极连接所述电流源I1； 所述基准电压控制级包括：第五PMOS管PM5为基准电流源，第四NMOS管NM4接收所述第五PMOS管PM5的电流，生成新的偏置电压，由PMOS管组成的跨导放大器的折叠输入级并分别连接其他电路电压VM和所述比较电压VCAP,第十四PMOS管PM14、第三电阻R3、第二电容C2组成基准电压电路，用于生成振荡器参考电压VOSCREF，所述振荡器参考电压VOSCREF输入共源共栅级转化所述折叠输入级的电流差，实现几乎线性的跨导放大。

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