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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种具有直角或近直角侧壁的Micro LED制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120435123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510920444.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种具有直角或近直角侧壁的Micro LED制备方法是由余鹿鸣;王月;黄振;张宇;王程功;郑鹏远设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有直角或近直角侧壁的Micro LED制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种具有直角或近直角侧壁的MicroLED制备方法，包括以下步骤：S1，在外延层表面沉积掩膜层；S2，使用掩膜版，得到图形化光刻胶；S3，刻蚀掩膜层，去胶后得到图形化掩膜层；S4，采用改进的ICP工艺刻蚀外延层；S5，采用可动态调整角度的旋转样品台，沉积钝化层；S6，使用掩膜版，得到图形化光刻胶；S7，刻蚀钝化层，去胶后得到图形化钝化层；S8，使用掩膜版，得到图形化光刻胶；S9，镀金属层，经去胶与金属抬离后得到图形化的正负电极结构；本申请通过采用改进的膜层沉积工艺与ICP刻蚀工艺，成功解决了MicroLED台面侧壁无法采用大角度设计的问题；能够实现更小的像素间距，并且工艺不受外延片厚度的影响，制备出性能更优的MicroLED显示产品。

本发明授权一种具有直角或近直角侧壁的Micro LED制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有直角或近直角侧壁的MicroLED制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，在外延层表面沉积厚度为预设范围的掩膜层； S2，在所述掩膜层上旋涂光刻胶，经固化、紫外曝光和显影处理，使用具有周期排列图形的掩膜版，得到图形化光刻胶； S3，以所述图形化光刻胶为掩膜，采用等离子体刻蚀工艺刻蚀掩膜层，去胶后得到图形化掩膜层； S4，以所述图形化掩膜层为掩膜，采用改进的ICP工艺刻蚀外延层，所述改进的ICP工艺包括： S4.1，第一步刻蚀：使用刻蚀气体对外延层进行刻蚀； S4.2，钝化层沉积：采用可动态调整角度的旋转样品台，通过化学气相沉积工艺沉积钝化层； S4.3，第二步刻蚀：使用刻蚀气体继续刻蚀外延层，得到目标角度的MicroLED台面； S5，采用所述可动态调整角度的旋转样品台，通过化学气相沉积工艺沉积厚度为预设范围的钝化层； S6，在所述钝化层上旋涂光刻胶，经固化、紫外曝光和显影处理，使用具有周期排列图形的掩膜版，得到图形化光刻胶； S7，以所述图形化光刻胶为掩膜刻蚀钝化层，去胶后得到图形化钝化层； S8，在所述图形化钝化层上旋涂光刻胶，经固化、紫外曝光和显影处理，使用具有周期排列图形的掩膜版，得到图形化光刻胶； S9，采用物理气相沉积工艺镀金属层，经去胶与金属抬离后得到图形化的正负电极结构。

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