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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种异质集成的感存算一体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120435084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510929546.3，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种异质集成的感存算一体结构及其制备方法是由叶镭;杨高琛;童磊;马辰龙;吕晟杰;徐浪浪;彭追日;缪向水设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质集成的感存算一体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于芯片结构设计相关技术领域，其公开了一种异质集成的感存算一体结构及其制备方法，制备方法包括：在构建PN结之前形成隔离区，再通过隔离区标记出PN结的有源区，并通过刻蚀、注入工艺制作横向光电二极管并留出隔离墙，便于后续套刻金属电极对准；同时制备相变薄膜电阻和相变存储器；再采用晶圆键合互联包含后端逻辑电路的晶圆；再进行背面硅翻转减薄，沉积一层纳米金属颗粒和钝化层，利用纳米金属颗粒提升感光波段范围，钝化层降低界面表面态密度，从而降低暗电流。在本发明中，一方面引入相变存储器以降低传感器数据流处理的功耗与延迟，同时还对工艺和晶圆结构进行优化设计，提升结构性能，降低工艺难度。

本发明授权一种异质集成的感存算一体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质集成的感存算一体结构的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上刻蚀出隔离槽，在所述隔离槽的侧壁和所述衬底的上表面沉积第一钝化层后，再沉积多晶硅直至所述隔离槽内的多晶硅的高度超过所述第一钝化层的上表面，磨平所述多晶硅，隔离槽内的结构形成隔离区； 以所述隔离区为套刻标记，在相邻隔离区之间暴露出衬底并开设相邻的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽之间存在隔离墙，通过第一沟槽向衬底注入第一导电类型材料，通过第二沟槽向衬底注入第二导电类型材料，两种材料的其中一个形成P型区、另一个形成N型区，退火使P型区和N型区离子扩散形成PN结； 以所述隔离区和所述隔离墙为套刻标记，在所述P型区和所述N型区上对应形成P区第一电极和N区第一电极； 在形成第一电极的一侧沉积介质层，同步形成相变材料组，所述相变材料组包括三个平行的相变材料结构，各相变材料结构的一端贯穿所述介质层直至与N区第一电极电连接，另一端上分别设置第一键合电极；形成贯穿所述介质层并与P区第一电极电连接的第二键合电极；得到第一晶圆组件； 将所述第一晶圆组件具有键合电极的正面与第二晶圆组件键合，以使所述第一晶圆组件中的键合电极与所述第二晶圆组件中的控制电路连接； 对所述第一晶圆组件的背面进行减薄至暴露出所述P型区和所述N型区后依次形成纳米金属颗粒量子点层和第二钝化层； 通过控制电路向相变材料组中的其中一个相变材料结构施加电压使其发生硬击穿形成电阻，另外两个相变材料结构作为相变存储器。

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