英特尔公司C·J·杰泽斯基获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利基于钴的互连及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210020138.2，技术领域涉及：H01L23/532；该发明授权基于钴的互连及其制造方法是由C·J·杰泽斯基;T·K·因杜库里;R·V·谢比亚姆;C·T·卡弗设计研发完成，并于2015-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于钴的互连及其制造方法在说明书摘要公布了：实施例包括金属互连结构，所述金属互连结构包括：设置在衬底上的电介质层；所述电介质层中的开口，其中，所述开口具有侧壁并且暴露所述衬底和互连线的至少其中之一的导电区；设置在所述导电区之上和所述侧壁上的粘附层，所述粘附层包括锰；以及所述开口内和所述粘附层的表面上的填充材料，所述填充材料包括钴。本文中描述了其它实施例。
本发明授权基于钴的互连及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 电介质层； 所述电介质层中的开口，所述开口具有上部和下部，所述上部的宽度大于所述下部的宽度； 位于所述开口的所述下部中的钴插塞； 基于锰的粘附层，所述基于锰的粘附层位于所述开口的所述上部的侧壁上和位于所述钴插塞上，并且直接接触所述开口的所述上部的侧壁和所述钴插塞，其中所述基于锰的粘附层不是种子层；以及 钴填充材料，所述钴填充材料位于所述开口的所述上部中和位于所述基于锰的粘附层上，其中所述钴填充材料包括钴和铜，所述钴填充材料包括至少50%的钴。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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