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龙图腾网获悉东芝存储器株式会社申请的专利存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112017719B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011071865.9，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权存储器系统是由平嶋康伯;小柳胜设计研发完成，并于2016-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器系统在说明书摘要公布了：本发明的实施方式提供一种能提高处理能力的非易失性半导体存储装置及存储器系统。实施方式的存储器系统1包括第1非易失性半导体存储装置10与控制器100。第1非易失性半导体存储装置10包含：第1电路60，连接于接收第2信号REn的第1端子；及第2电路52，根据第1信号ODTEN而控制第1电路60。第2电路52在当切换第1信号ODTEN的逻辑电平时第2信号REn为第1逻辑“H”电平的情况下，将第1及第2开关元件61及62断开，且在第2信号REn为第2逻辑“L”电平的情况下，将第1及第2开关元件61及62接通。

本发明授权存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器系统，其特征在于包括： 第1存储器，包含： 第1存储单元阵列，能够存储数据； 第1端子，输入对所述第1存储单元阵列的写入数据，输出来自所述第1存储单元阵列的读出数据； 第2端子，输入第1信号，所述第1信号指示输出读出数据的时序； 第1ODT电路，连接于所述第1端子； 第2ODT电路，连接于所述第2端子； 第3端子，输入第2信号； 第2存储器，包含： 第2存储单元阵列，能够存储数据； 第4端子，与所述第1端子共通地连接，输入对所述第2存储单元阵列的写入数据，输出来自所述第2存储单元阵列的读出数据； 第5端子，与所述第2端子共通地连接，输入所述第1信号； 第3ODT电路，连接于所述第4端子； 第4ODT电路，连接于所述第5端子； 第6端子，输入所述第2信号；及 控制器，能够将所述第1信号、所述第2信号及写入数据发送至所述第1存储器及所述第2存储器，能够从所述第1存储器及所述第2存储器接收读出数据；且 所述第2信号控制所述第1ODT电路、所述第2ODT电路、所述第3ODT电路及所述第4ODT电路的接通断开状态； 所述控制器在对所述第1存储器指示写入动作或读出动作的情况下，切换对非选择的所述第2存储器的所述第6端子供给的所述第2信号的逻辑电平； 当切换对所述第6端子供给的所述第2信号的逻辑电平时，非选择的所述第2存储器在所述第1信号处于第1逻辑电平的情况下，将所述第3ODT电路接通并且将所述第4ODT电路断开，在所述第1信号处于第2逻辑电平的情况下，将所述第3ODT电路及所述第4ODT电路接通。

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