台湾积体电路制造股份有限公司杨柏峰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664930B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210353532.8，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权半导体器件和方法是由杨柏峰;张哲诚;巫柏奇设计研发完成，并于2017-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和方法在说明书摘要公布了：提供了制造工艺和器件，其中，在衬底内形成第一开口。使用第二蚀刻工艺将第一开口重塑为第二开口。利用自由基蚀刻实施第二蚀刻工艺，其中，自由基蚀刻利用中性离子。因此，减小衬底的推动。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
本发明授权半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一半导体鳍，位于衬底上方； 栅极堆叠件，位于所述第一半导体鳍上面； 第一间隔件，位于所述栅极堆叠件的侧壁上；以及 第一开口，位于所述第一半导体鳍内并且底切所述第一间隔件，所述第一开口的表面邻近距离与尖端邻近距离具有小于3nm的差异，如果参考线与所述栅极堆叠件的侧壁对准，沿着所述第一半导体鳍的顶面从参考线至邻近于所述第一开口的所述第一半导体鳍的尖端测量第一距离以获得所述尖端邻近距离，在所述第一半导体鳍的中间高度处从所述参考线至所述第一开口周围所述第一间隔件的外边缘测量第二距离以获得所述表面邻近距离； 位于所述衬底上方的第二半导体鳍内的第二开口，其中，所述第一开口具有第一深度，所述第二开口具有与所述第一深度不同的第二深度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号