迪睿合电子材料有限公司久村达雄获国家专利权
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龙图腾网获悉迪睿合电子材料有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111937135B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980021370.4，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权半导体装置是由久村达雄设计研发完成，并于2019-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：目的在于提供具有优异的散热性和电磁波抑制效果的半导体装置。为了解决上述课题，本发明的半导体装置1具备：半导体元件30，形成在基板50上；导电屏蔽罩20，具有开口部21；导电冷却构件40，设置在该导电屏蔽罩20的上部；导热片10，至少通过开口部21而被形成在所述半导体元件30与所述导电冷却构件40之间；以及导电性构件11，将所述导电屏蔽罩20与所述导电冷却构件40电连接。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 半导体元件，形成在基板上； 导电屏蔽罩，与地线连接且具有开口部； 导电冷却构件，设置在所述导电屏蔽罩的上部； 导热片，至少通过所述导电屏蔽罩的开口部而被形成在所述半导体元件与所述导电冷却构件之间；以及 导电性构件，被形成在所述导电屏蔽罩的上表面与所述导电冷却构件的下表面之间，将所述导电屏蔽罩与所述导电冷却构件电连接， 所述导电性构件的隔着所述导热片相对的导电性构件彼此的间隔为所述半导体元件的最大频率下的波长的110以下， 所述导热片覆盖所述屏蔽罩的上表面的一部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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