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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114175219B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980098913.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置及其制造方法是由南条拓真;今井章文;绵引达郎设计研发完成，并于2019-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及异质结场效应型晶体管，在第一氮化物半导体的沟道层的上层部具备：与第一氮化物半导体异质接合的第二氮化物半导体的阻挡层；中间夹持阻挡层而相互留有间隔地设置的n型的第一杂质区域和n型的第二杂质区域；在第一杂质区域和所述第二杂质区域上设置的源电极及漏电极；与至少阻挡层的除源电极侧的边缘部以外的区域接触的方式设置的绝缘膜；至少将与阻挡层的边缘部接触、且与阻挡层的除边缘部以外的区域接触而设置的绝缘膜覆盖的栅极绝缘膜；和以将绝缘膜上的一部分区域上和阻挡层的边缘部的区域上覆盖的方式在栅极绝缘膜上设置的栅电极，在阻挡层中的边缘部的沟道层与阻挡层的界面产生的2DEG引起的薄层电阻成为10kΩsq以上。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 基板； 沟道层，其在所述基板上设置并由第一氮化物半导体构成； 阻挡层，其在所述沟道层的上层部设置、由具有比所述第一氮化物半导体的带隙大的带隙的第二氮化物半导体构成； n型的第一杂质区域和n型的第二杂质区域，均设置在所述沟道层的所述上层部，所述第一杂质区域和所述第二杂质区域相互留有间隔地设置，所述第一杂质区域和所述第二杂质区域之间夹持所述阻挡层； 源电极及漏电极，其分别设置在所述第一杂质区域及所述第二杂质区域上； 漂移区域，其在所述阻挡层的除所述源电极侧的边缘部以外的所述阻挡层上以与所述阻挡层接触的方式设置有绝缘膜； 沟道区域，其在所述阻挡层的边缘部且在与所述第二杂质区域分离的位置，在其上没有形成所述绝缘膜； 栅极绝缘膜，其在所述沟道区域上及所述漂移区域上以分别与所述阻挡层及所述绝缘膜接触的方式形成；和 栅电极，其设置在所述沟道区域上及所述漂移区域的一部分上的所述栅极绝缘膜上， 所述沟道区域的所述阻挡层与所述漂移区域的所述阻挡层为相同的厚度和组成， 所述沟道区域中的所述沟道层与所述阻挡层的界面产生的二维电子气引起的薄层电阻为10kΩsq以上， 所述漂移区域中的所述沟道层与所述阻挡层的界面产生的二维电子气引起的薄层电阻为10kΩsq以下。

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