美光科技公司R·E·法肯索尔获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于支持存储器装置的源极线配置的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113498540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080015745.9，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权用于支持存储器装置的源极线配置的方法和设备是由R·E·法肯索尔设计研发完成，并于2020-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于支持存储器装置的源极线配置的方法和设备在说明书摘要公布了：本申请案涉及用于存储器装置的源极线配置。在一些情况中，所述存储器装置的存储器单元可包含具有用于存储所述存储器单元的逻辑状态的浮动栅极的第一晶体管及与所述第一晶体管的所述浮动栅极耦合的第二晶体管。所述存储器单元可与字线、数字线及源极线耦合。在写入操作期间，可使用所述存储器装置中的一或多个存储器单元将所述源极线箝位到所述数字线。在读取操作期间，可使用所述存储器装置中的一或多个存储器单元使所述源极线接地。
本发明授权用于支持存储器装置的源极线配置的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种方法，其包括： 接收命令以对第一存储器单元执行写入操作，所述第一存储器单元包括具有用于存储所述第一存储器单元的逻辑状态的浮动栅极的第一晶体管及与所述第一晶体管的所述浮动栅极连接的第二晶体管； 至少部分基于接收所述命令而耦合连接到所述第一晶体管的源极线与连接到所述第二晶体管的数字线，其中所述源极线进一步耦合到第二存储器单元和第三存储器单元，其中将所述源极线与所述数字线耦合包括施加第一电压以激活所述第二存储器单元和施加第二电压以撤销激活所述第三存储器单元，所述第一电压不同于所述第二电压，其中所述第二存储器单元包括箝位存储器单元且所述第三存储器单元包括接地存储器单元； 作为所述写入操作的部分将第三电压施加到所述数字线； 激活所述第二晶体管以将第四电压施加到所述第一晶体管的所述浮动栅极，所述第四电压至少部分基于所述第三电压；及 撤销激活所述第二晶体管以致使所述第一晶体管存储至少部分基于施加到所述第一晶体管的所述浮动栅极的所述第四电压的所述逻辑状态。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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