硅存储技术股份有限公司邢精成获国家专利权
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龙图腾网获悉硅存储技术股份有限公司申请的专利在源极线下拉电路中使用带状单元的非易失性存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113539333B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010304167.2，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权在源极线下拉电路中使用带状单元的非易失性存储器系统是由邢精成;王春明;X·刘;N·多;林光明;朱瑶华设计研发完成，并于2020-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本在源极线下拉电路中使用带状单元的非易失性存储器系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种闪存存储器设备，该闪存存储器设备使用非易失性存储器单元的存储阵列中的带状单元作为源极线下拉电路。在一个实施方案中，带状单元是擦除栅带状单元。在另一实施方案中，带状单元是源极线带状单元。在另一实施方案中，带状单元是控制栅带状单元。在另一实施方案中，带状单元是字线带状单元。
本发明授权在源极线下拉电路中使用带状单元的非易失性存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器系统，包括： 存储器单元，所述存储器单元包括第一位线端子和第一源极线端子； 第一位线，所述第一位线耦接到所述第一位线端子； 带状单元，所述带状单元包括第二位线端子、以及第二源极线端子； 第一下拉电路触点； 第二下拉电路触点； 第二位线，所述第二位线耦接到所述第二位线端子、所述第一下拉电路触点和所述第二下拉电路触点，其中所述第一下拉电路触点位于所述第二位线的一端并且所述第二下拉电路触点位于所述第二位线的相反的一端； 源极线，所述源极线耦接到所述第一源极线端子和所述第二源极线端子；和 下拉电路，所述下拉电路耦接到所述第一下拉电路触点和所述第二下拉电路触点，所述下拉电路当所述存储器单元正在被读取或擦除时选择性地将所述第二位线端子耦接到接地，并且当所述存储器单元正在被编程时选择性地将所述第二位线端子耦接到电压源。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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