意法半导体研发(深圳)有限公司文剑获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体研发(深圳)有限公司申请的专利背对背功率开关控制器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111930174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010399427.9,技术领域涉及:G05F3/26;该发明授权背对背功率开关控制器是由文剑;李红霞;杨梅设计研发完成,并于2020-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本背对背功率开关控制器在说明书摘要公布了:本公开的各实施例涉及背对背功率开关控制器。在一个实施例中,一种用于驱动背对背功率开关的功率开关控制器包括:放大器,具有被配置为接收电源电压的电源端子、被配置为耦合到背对背功率开关的栅极端子的输出、被配置为耦合到背对背功率开关的源极端子的第一输入和耦合到放大器的输出处的第二输入。该放大器被配置为在放大器的输出处生成输出电压,该输出电压是比放大器的第一输入处的电压高的偏移电压。
本发明授权背对背功率开关控制器在权利要求书中公布了:1.一种用于驱动背对背功率开关的功率开关控制器,所述背对背功率开关具有栅极端子、源极端子、第一端子和第二端子,所述功率开关控制器包括: 放大器,具有:被配置为接收电源电压的电源端子、被配置为被耦合到所述背对背功率开关的所述栅极端子的输出、被配置为被耦合到所述背对背功率开关的所述源极端子的第一输入、以及耦合到所述放大器的所述输出的第二输入,其中所述放大器被配置为在所述放大器的所述输出处生成输出电压,所述输出电压是比所述放大器的所述第一输入处的电压高的偏移电压; 其中所述放大器包括: 第二电源端子,被配置为接收低于所述电源电压的第二电源电压; 第一晶体管,具有耦合到所述第二电源端子的电流路径; 电流镜,耦合到所述电源端子; 第二晶体管,具有耦合到所述放大器的所述第一输入的栅极、和耦合在所述第一晶体管的所述电流路径和所述电流镜之间的电流路径;和 第三晶体管,具有耦合到所述放大器的所述第二输入的栅极、和耦合在所述第一晶体管的所述电流路径和所述电流镜之间的电流路径; 所述功率开关控制器进一步包括: 电流发生器,被配置为生成参考电流;和 偏移发生器,被配置为基于所述参考电流生成所述偏移电压; 其中所述偏移发生器被耦合在所述第一晶体管的所述电流路径和所述第三晶体管的所述电流路径之间。
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