全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;电子科技大学金锐获国家专利权
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龙图腾网获悉全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;电子科技大学申请的专利一种高压功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113675257B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010410064.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种高压功率半导体器件是由金锐;刘江;吴军民;高明超;张金平;张波设计研发完成，并于2020-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高压功率半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高压功率半导体器件结终端结构，包括：元胞结构和终端结构；在所述元胞结构上部具有弧形槽，所述终端结构包括多种不同导电类型的掺杂条；各不同导电类型的掺杂条相间设置于所述元胞结构上部的槽中，本发明有效解决了传统结终端扩展终端结构的工艺容差小，工艺复杂，终端耐压小，可靠性低的问题。
本发明授权一种高压功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种高压功率半导体器件，其特征在于，包括元胞结构和终端结构；在所述元胞结构上部具有弧形槽； 所述终端结构包括多种不同导电类型的掺杂条；各不同导电类型的掺杂条相间设置于所述元胞结构上部的槽中； 所述元胞结构包括金属化阳极4和第二导电类型半导体区1； 所述第二导电类型半导体区1设置于所述元胞结构上部边缘，所述金属化阳极4覆盖于所述第二导电类型半导体区1上； 所述终端结构还包括截止环8，所述截止环8位于所述元胞结构弧形槽的底部； 所述掺杂条配合所述弧形槽的形状设置于所述第二导电类型半导体区1和截止环8之间； 所述掺杂条包括第一导电类型掺杂条11和第二导电类型掺杂条12； 所述第一导电类型掺杂条11在靠近所述金属化阳极4位置的面积大于靠近所述截止环8位置的面积；所述第二导电类型掺杂条12在靠近所述金属化阳极4位置的面积小于靠近所述截止环8位置的面积； 所述第一导电类型掺杂条11和所述第二导电类型掺杂条12浓度相同，导电类型不同。
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