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龙图腾网获悉安靠科技新加坡控股私人有限公司申请的专利半导体装置及制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987078B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010433142.2，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体装置及制造半导体装置的方法是由郑季洋;李在河;裴炳日设计研发完成，并于2020-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：半导体装置及制造半导体装置的方法。一种电子装置结构包含衬底，衬底有邻近于表面的导电结构。导电结构包含多个导电衬垫。第一和第二电子装置安置成邻近于顶表面。第一电子装置插置于第一与第二导电衬垫之间，且第二电子装置插置于第二与第三导电衬垫之间。包含第一键合结构的连续导线结构连接到第一导电衬垫，第二键合结构连接到第二导电衬垫，第三键合结构连接到第三导电衬垫，第一导线部分互连于第一与第二键合结构之间且安置成覆于第一电子装置上方，且第二导线部分互连于第二与第三键合结构之间且安置成位于第二电子装置上方。

本发明授权半导体装置及制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种电子装置结构，其包括： 衬底，所述衬底具有导电结构； 第一电子装置与第二电子装置，所述第一电子装置与所述第二电子装置耦接到所述衬底；以及 第一导线结构，所述第一导线结构在至少三个位置中耦接到所述导电结构，其中： 所述第一电子装置与所述第二电子装置侧向间隔设置； 所述导电结构包括第一导电迹线、第二导电迹线和第三导电迹线； 所述第二导电迹线位于所述第一导电迹线与所述第三导电迹线之间； 所述第一导线结构位于所述第一电子装置与所述第二电子装置上方； 所述第一导线结构为连续单个导线结构； 所述第一导线结构具有于所述第一电子装置上方的第一导线部分； 所述第一导线结构包括： 第一键合结构，所述第一键合结构连接到所述第一导电迹线； 第二键合结构，所述第二键合结构连接到所述第二导电迹线，其中所述第一导线部分互连于所述第一键合结构与所述第二键合结构之间并且被安置成覆于所述第一电子装置上方； 第三键合结构，所述第三键合结构连接到所述第三导电迹线分；以及 第二导线部分，所述第二导线部分互连于所述第二键合结构与所述第三键合结构之间并且被安置成覆于所述第二电子装置上方；并且 所述第一导线部分在除了所述第一电子装置的中心之外的位置处在所述衬底上方具有最大高度。

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