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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112466924B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010751541.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法是由木下明将设计研发完成，并于2020-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种能够提高可靠性并且能够防止成本增大的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。第一p+型区21以与p型基区4分开的方式设置在沟槽7的正下方，并在深度方向Z上与沟槽7的底面对置。第一p+型区21在沟槽7的底面露出，并在沟槽7的底面与栅极绝缘膜8接触。第二p+型区22以与第一p+型区21和沟槽7分开的方式设置于相邻的沟槽7之间台面区。第二p+型区22的漏极侧端部位于比第一p+型区21的漏极侧端部更靠源极侧的位置。n+型区23以与第一p+型区21和沟槽7分开的方式设置于台面区。n+型区23在深度方向Z上与第二p+型区22对置并邻接。

本发明授权碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备： 半导体基板，由碳化硅构成； 第一导电型的第一半导体区，设置于所述半导体基板的内部； 第二导电型的第二半导体区，设置于所述半导体基板的第一主面与所述第一半导体区之间； 第一导电型的第三半导体区，选择性地设置于所述半导体基板的第一主面与所述第二半导体区之间； 第一导电型的第四半导体区，设置于所述第一半导体区与所述第二半导体区之间，且杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高； 沟槽，贯通所述第三半导体区和所述第二半导体区而到达所述第四半导体区； 栅电极，隔着栅极绝缘膜设置于所述沟槽的内部； 第一导电型的第五半导体区，设置于所述半导体基板的第二主面与所述第一半导体区之间，且杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高； 第一个第二导电型高浓度区，以与所述第二半导体区分开的方式选择性地设置于比所述沟槽的底面更靠近所述第二主面的位置，且在深度方向上与所述沟槽的底面对置，杂质浓度比所述第二半导体区的杂质浓度高； 第二个第二导电型高浓度区，以与所述沟槽和所述第一个第二导电型高浓度区分开的方式选择性地设置于比所述第一个第二导电型高浓度区更靠近所述第一主面的位置，且与所述第二半导体区接触，杂质浓度比所述第二半导体区的杂质浓度高； 第一电极，与所述第二半导体区和所述第三半导体区电连接；以及 第二电极，与所述第五半导体区电连接， 所述第二个第二导电型高浓度区的所述第二主面侧的端部位于比所述第一个第二导电型高浓度区的所述第二主面侧的端部更靠所述第一主面侧的位置， 所述碳化硅半导体装置还具备： 第一导电型高浓度区，在所述第四半导体区的内部，以与所述沟槽和所述第一个第二导电型高浓度区分开的方式选择性地设置在深度方向上比所述第二个第二导电型高浓度区更靠近所述第二主面的位置，且与所述第二个第二导电型高浓度区对置并接触，杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高。

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