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龙图腾网获悉罗伯特·博世有限公司申请的专利半导体设备以及用于制造半导体设备的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114402438B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080059711.X，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权半导体设备以及用于制造半导体设备的方法是由A·马丁内斯-利米亚;K·埃耶斯;W·法伊勒;S·施魏格尔;J-H·阿尔斯迈尔设计研发完成，并于2020-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体设备以及用于制造半导体设备的方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体设备1。所述半导体设备1可以具有：第一导电类型的漂移区11，111，13，14，15；在所述漂移区11，111，13，14，15上的第二导电类型的沟道区8，108，其中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；在所述沟道区8，108上的所述第一导电类型的源极区9，109；沟槽5，所述沟槽形成绝缘栅并且延伸通过所述源极区9，109和所述沟道区8，108，从而所述沟槽的底部位于所述漂移区11，111，13，14，15中；所述第二导电类型的至少一个掩埋区12，所述掩埋区在所述漂移区11，111，13，14，15内从所述漂移区11，111，13，14，15的边缘区域延伸至所述沟槽5，并与所述沟槽5的表面的第一部分区域32直接接触，其中，所述沟槽5的表面的第二部分区域34与所述漂移区11，111，13，14，15直接接触，其中，所述掩埋区12与所述源极区9，109导电连接。

本发明授权半导体设备以及用于制造半导体设备的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备1，所述半导体设备具有： 第一导电类型的漂移区11，111，13，14，15； 在所述漂移区11，111，13，14，15上的第二导电类型的沟道区8，108，其中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反； 在所述沟道区8，108上或在所述沟道区8，108中的所述第一导电类型的源极区9，109； 沟槽5，所述沟槽形成绝缘栅，并且所述沟槽延伸通过所述源极区9，109和所述沟道区8，108，从而所述沟槽的底部位于所述漂移区11，111，13，14，15中； 所述第二导电类型的至少一个掩埋区12，所述掩埋区在所述漂移区11，111，13，14，15内从所述漂移区11，111，13，14，15的边缘区域延伸至所述沟槽5，并与所述沟槽5的表面的第一部分区域32直接接触， 其中，所述沟槽5的表面的第二部分区域34与所述漂移区11，111，13，14，15直接接触， 其中，所述掩埋区12与所述源极区9，109导电连接， 其中，所述至少一个掩埋区12具有多个掩埋区12； 其中，所述沟槽5的表面的所述第一部分区域32具有多个第一部分区域区段， 其中，所述第二部分区域34位于所述第一部分区域区段之间， 其中，所述沟槽在纵向方向和与所述纵向方向垂直的横向方向上延伸，其中，所述沟槽5在所述纵向方向上的延伸比在所述横向方向上更长； 其中，所述第一部分区域区段沿着所述纵向方向布置在所述沟槽5的第一侧面上和所述沟槽5的与所述第一侧面相对置的第二侧面上， 其中，所述掩埋区12中的每个掩埋区与所述沟槽5的所述纵向方向包围一角度， 其中，与所述第一侧面上的第一部分区域区段接触的掩埋区12与所述沟槽5的所述纵向方向包围第一角度φ1， 其中，与所述第二侧面上的第一部分区域区段接触的掩埋区12与所述沟槽5的所述纵向方向包围第二角度φ2， 其中，对于0°α45°，φ1＝45°+α并且φ2＝45°-α。

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