东京毅力科创株式会社福井祥吾获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理装置的清洗方法和基片处理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112490143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010909578.4，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权基片处理装置的清洗方法和基片处理系统是由福井祥吾;黄柏翰设计研发完成，并于2020-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理装置的清洗方法和基片处理系统在说明书摘要公布了：本发明提供基片处理装置的清洗方法和基片处理系统。基片处理装置的清洗方法中，上述基片处理装置能够进行干燥处理，上述干燥处理使表面被液体润湿的状态的基片与超临界流体接触以使上述基片干燥，上述基片处理装置的清洗方法包括：使清洗用流体在上述基片处理装置的内部扩散的步骤，上述清洗用流体是将上述超临界流体与包含极性分子的、沸点比上述液体低的溶剂混合而成的；以及在上述清洗用流体扩散后，从上述基片处理装置的内部排出上述清洗用流体的步骤。本发明能够抑制在使用超临界流体的干燥处理时颗粒附着到基片。
本发明授权基片处理装置的清洗方法和基片处理系统在权利要求书中公布了：1.一种基片处理装置的清洗方法，所述基片处理装置能够进行干燥处理，所述干燥处理使表面被液体润湿的状态的基片与超临界流体接触以使所述基片干燥， 所述基片处理装置的清洗方法特征在于，包括： 使清洗用流体在所述基片处理装置的内部扩散的步骤，所述清洗用流体是将所述超临界流体与包含极性分子的、沸点比所述液体低的溶剂混合而成的；以及 在所述清洗用流体扩散后，从所述基片处理装置的内部排出所述清洗用流体的步骤， 所述液体包含极性分子，所述超临界流体包含非极性分子。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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