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龙图腾网获悉意法半导体(R&D)有限公司申请的专利像素阵列中使用可重新配置的光电二极管进行高电压生成获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112565641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011025033.3，技术领域涉及：H04N25/76；该发明授权像素阵列中使用可重新配置的光电二极管进行高电压生成是由F·卡克林;J·M·雷诺设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本像素阵列中使用可重新配置的光电二极管进行高电压生成在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及像素阵列中使用可重新配置的光电二极管进行高电压生成。一种成像传感器，包括像素阵列，该像素阵列包含光电二极管，光电二极管通过全厚度深沟槽隔离而彼此隔离。在逐行的基础上，行控制电路装置控制像素阵列的哪些行在成像模式中操作以及像素阵列的哪些行在能量收集模式中操作。开关电路装置选择性地将在能量收集模式中操作的成行的光电二极管的不同组连接成在电压输出线和接地线之间的正向偏置串联配置，或连接成在电压输出线和接地线之间的正向偏置并联配置。

本发明授权像素阵列中使用可重新配置的光电二极管进行高电压生成在权利要求书中公布了：1.一种成像传感器，包括： 像素阵列，所述像素阵列中的每个像素包含光电二极管，所述光电二极管通过全厚度深沟槽隔离而被彼此隔离； 模式选择电路装置，被配置为控制所述像素阵列中的哪些像素组在成像模式中操作、以及所述像素阵列中的哪些像素组在能量收集模式中操作；以及 开关电路装置，被配置为选择性地将在所述能量收集模式中操作的成行的光电二极管的不同组连接成电压输出线和接地线之间的正向偏置串联配置，或连接成所述电压输出线和所述接地线之间的正向偏置并联配置； 其中针对给定像素组的每个第一像素，所述模式选择电路装置包括成像选择晶体管和能量收集选择晶体管，当在所述成像模式中时，所述成像选择晶体管将所述像素的所述光电二极管的阳极耦合到接地，当处于所述能量收集模式时，所述能量收集选择晶体管将所述像素的所述光电二极管的阴极耦合到接地；并且 其中针对所述给定像素组的、除所述给定像素组的所述第一像素以外的每个像素，所述模式选择电路装置包括成像选择晶体管和能量收集选择晶体管，当在所述成像模式中时，所述成像选择晶体管将所述像素的所述光电二极管的阳极耦合到接地，当在所述能量收集模式中时，所述能量收集选择晶体管将所述像素的所述光电二极管的阴极耦合到针对所述像素的所述开关电路装置； 其中针对所述给定像素组的、除所述给定像素组的最后像素之外的每个像素，所述开关电路装置包括： 传输门，选择性地将所述像素的所述光电二极管的所述阳极耦合到所述给定像素组的下一像素的所述能量收集选择晶体管；以及 选择晶体管，当所述传输门未将所述像素的所述光电二极管的所述阳极耦合到所述给定像素组的所述下一像素的所述能量收集选择晶体管时，将所述给定像素组的所述下一像素的所述能量收集选择晶体管选择性地耦合到接地。

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