中芯集成电路(宁波)有限公司桂珞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利移动机构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114275733B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011040494.8，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权移动机构及其形成方法是由桂珞;韩凤芹;王邦旭;赵强;石丹丹;李萍;肖扬设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本移动机构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种移动机构及其形成方法，形成方法包括：提供固定平台和位于所述固定平台上的内部结构；形成保形覆盖所述内部结构和固定平台的牺牲层；形成保形覆盖所述牺牲层的弓形材料层；刻蚀所述弓形材料层，形成弓形电极，所述弓形电极包括与所述内部结构侧壁相对的侧部电极、与固定平台相对的底部电极，所述底部电极具有第一开口，所述第一开口暴露出部分固定平台上的所述牺牲层；去除所述牺牲层。综上，所述第一开口能够降低所述牺牲层的去除难度，加快牺牲层的去除速率，使得牺牲层不易残留，提高移动机构的形成质量和单位时间内的产量。
本发明授权移动机构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种移动机构的形成方法，其特征在于，包括： 提供固定平台和位于所述固定平台上的内部结构； 形成保形覆盖所述内部结构和固定平台的牺牲层，所述牺牲层位于所述固定平台的表面以及内部结构的顶部和侧壁的表面； 形成保形覆盖所述牺牲层的弓形材料层； 刻蚀所述弓形材料层，形成弓形电极，所述弓形电极包括与所述内部结构侧壁相对的侧部电极、与固定平台相对的底部电极，所述底部电极具有第一开口，所述第一开口暴露出部分固定平台上的所述牺牲层； 去除所述牺牲层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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