株式会社电装宫地修平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114514607B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080068721.X，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体模块是由宫地修平设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体模块在说明书摘要公布了：本发明的半导体模块1具备：两个半导体元件10、20，俯视的情况的形状为大致四边形，以至少一部分重叠的方式在上下方向堆叠；导电部件121、123、125，堆叠于上述两个半导体元件的上表面侧或者下表面侧，与上述两个半导体元件的至少任意一方电连接；以及树脂模制件130，将上述两个半导体元件以及上述导电部件一体密封。上述两个半导体元件中的配置于下方的下方半导体元件20配置为在不存在上述树脂模制件的状态下俯视上述半导体模块的情况下，能够观测上述大致四边形的大致正交的至少两边的两端部21～24的位置。
本发明授权半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种半导体模块，具备两个半导体元件、导电部件、以及树脂模制件，其中，上述两个半导体元件俯视的情况的形状为四边形，以至少一部分重叠的方式在上下方向堆叠，上述导电部件堆叠于上述两个半导体元件的上表面侧或者下表面侧，与上述两个半导体元件的至少任意一方电连接，上述树脂模制件将上述两个半导体元件以及上述导电部件一体密封，上述半导体模块中， 上述两个半导体元件中的配置于下方的下方半导体元件配置为在不存在上述树脂模制件的状态下俯视上述半导体模块的情况下，能够观测上述四边形的正交的至少两边的两端部的位置， 上述两个半导体元件是具备形成于半导体基板的第一面侧的栅电极以及第一电极、和形成于上述半导体基板的与上述第一面对置的第二面侧的第二电极，利用通过对上述栅电极施加电压而形成的沟道而载流子从上述半导体元件的上述第一电极侧向上述第二电极侧移动的垂直绝缘栅型半导体元件，与上述栅电极电连接的栅极焊盘在分别俯视上述两个半导体元件时设置于相同位置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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