台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司陈正龙获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司申请的专利具有包括多个区的漏极阱的集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068712B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011082905.X，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权具有包括多个区的漏极阱的集成电路是由陈正龙设计研发完成，并于2020-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有包括多个区的漏极阱的集成电路在说明书摘要公布了：本公开涉及具有包括多个区的漏极阱的集成电路。一种集成电路包括：漂移区域，在衬底中；漏极，在衬底中，该漏极包括掺杂漏极阱，该掺杂漏极阱包括：第一区，具有第一浓度的第一掺杂剂；以及第二区，具有第二浓度的第一掺杂剂，其中第一浓度小于第二浓度；以及栅极电极，在漂移区域之上并且在与衬底的顶表面平行的方向上与掺杂漏极阱分开大于0的距离。
本发明授权具有包括多个区的漏极阱的集成电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 漂移区域，在衬底中； 漏极，在所述衬底中，其中，所述漏极包括掺杂漏极阱，其中，所述掺杂漏极阱包括： 第一区，其中，所述第一区具有第一浓度的第一掺杂剂；以及 第二区，其中，所述第二区具有第二浓度的所述第一掺杂剂，所述第一区的最顶表面与所述第二区的最顶表面共面，并且所述第一浓度小于所述第二浓度；以及 栅极电极，在所述漂移区域之上，所述栅极电极在与所述衬底的顶表面平行的方向上与所述掺杂漏极阱分开大于0的距离， 其中，所述第一区在所述衬底的顶表面处在所述第二区与所述漂移区域之间具有第一宽度，并且在所述第二区的底部处在所述第二区与所述漂移区域之间具有第二宽度，其中，所述第一宽度和所述第二宽度是在与所述衬底的顶表面平行的方向上测量的不同宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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