荣耀终端有限公司余林蔚获国家专利权
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龙图腾网获悉荣耀终端有限公司申请的专利半导体器件和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011150219.1，技术领域涉及：H10K77/10；该发明授权半导体器件和电子装置是由余林蔚;宋晓攀;王彬;胡瑞金;刘宗光;刘俊彦;陈英杰;刘至哲;吴欣凯;刘云飞设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和电子装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体器件和电子装置，涉及微电子技术领域，可以提高半导体器件的拉伸性能，从而降低了半导体器件性能恶化或失效的概率。该半导体器件，包括：柔性衬底，柔性衬底表面设置有至少一条沟槽；每条沟槽内设置有至少一条半导体纳米线，半导体纳米线和柔性衬底之间无粘连，半导体纳米线沿着沟槽延伸；每条沟槽在其长度方向上包括依次排列的第一容置区域、第二容置区域和第三容置区域，第二容置区域的沟槽宽度大于第一容置区域的沟槽宽度以及第三容置区域的沟槽宽度，沟槽宽度为沟槽的两个侧壁之间的距离。
本发明授权半导体器件和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 柔性衬底，所述柔性衬底表面设置有至少一条沟槽； 每条所述沟槽内设置有一条或两条半导体纳米线，所述半导体纳米线和所述柔性衬底之间无粘连，所述半导体纳米线沿着所述沟槽延伸； 每条所述沟槽在其长度方向上包括依次排列的第一容置区域、第二容置区域和第三容置区域，所述第二容置区域的沟槽宽度大于所述第一容置区域的沟槽宽度以及所述第三容置区域的沟槽宽度，所述沟槽宽度为沟槽的两个侧壁之间的距离。
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