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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011214352.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由许超奇;陈淑娴;马春霞设计研发完成，并于2020-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成阱区，于阱区内形成第一掺杂区，并于第一掺杂区表面形成第二掺杂区；刻蚀第二掺杂区所在衬底以形成引出区沟槽和窗口沟槽；于引出区沟槽的侧壁及底壁和窗口沟槽的侧壁上形成多晶材料层，多晶材料层填满引出区沟槽形成引出结构；刻蚀窗口沟槽的侧壁上的多晶材料层至指定深度以形成栅极多晶。多晶材料层只形成于窗口沟槽的侧壁上，无需在完整填充窗口沟槽后再将中心部位的多晶材料层去除，在本申请中，窗口沟槽内的多晶材料层在形成伊始就已经与最后形成的栅极多晶的厚度一致，对于多晶材料层的刻蚀改变的是多晶材料层的高度，彻底解决了多晶材料层的回刻问题。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底内形成阱区，于所述阱区的上表层至少形成第一掺杂区，所述阱区与所述第一掺杂区的导电类型不同； 刻蚀所述衬底以形成从衬底表面贯穿所述第一掺杂区并延伸至所述阱区内的引出区沟槽和窗口沟槽，所述引出区沟槽和所述窗口沟槽连通，并于所述引出区沟槽的侧壁及底壁、所述窗口沟槽的侧壁及底壁上形成栅氧层； 于所述引出区沟槽内填充满多晶材料层以形成引出结构，并于所述窗口沟槽的侧壁上形成多晶材料层，所述引出区沟槽内的多晶材料层与所述窗口沟槽的侧壁上的多晶材料层电连接； 于所述第一掺杂区的上表层形成第二掺杂区，于所述窗口沟槽的底部形成第三掺杂区，所述第二掺杂区、所述第三掺杂区与所述第一掺杂区的导电类型相同； 回刻所述窗口沟槽的侧壁上的所述多晶材料层至指定深度以形成栅极多晶； 将所述第二掺杂区、所述第三掺杂区和所述引出结构引出形成器件，所述第二掺杂区为漏端，所述第三掺杂区为源端，所述引出结构为栅极。

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