金俊成获国家专利权
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龙图腾网获悉金俊成申请的专利含有硫属化合物的存储器单元的组分、其结构、其制造方法及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730835B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080078617.9，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权含有硫属化合物的存储器单元的组分、其结构、其制造方法及其操作方法是由金俊成;李承桓;尹相勋设计研发完成，并于2020-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本含有硫属化合物的存储器单元的组分、其结构、其制造方法及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明的目的是与包括硫属化合物的存储器元件相关地提供一种用于存储器元件的稳定操作的组分、适用于该组分的存储器结构、用于制造其的方法以及用于操作其的方法。为实现上述目的，本发明可以提供一种具有交叉点结构的存储器阵列，该存储器阵列包括：彼此相交的第一电极线和第二电极线；以及由硫属化合物形成的选择存储器元件，其被设置在第一电极线和第二电极线的每个相交点处。第一电极线形成在基板上。第一功能电极可以形成在第一电极线与选择存储器元件之间。第二功能电极可以形成在第二电极线与选择存储器元件之间。第一功能电极可以被形成为沿着第一电极线的线。
本发明授权含有硫属化合物的存储器单元的组分、其结构、其制造方法及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种对包括作为硫属化合物的两端子选择器或选择存储器的存储器单元进行初始化的方法，所述方法包括以下步骤： a向所述存储器单元施加初始化电压； b确定所述存储器单元是否导通；以及 c当所述存储器单元导通时，终止所述初始化，并且当所述存储器单元未导通时，增大初始化电压并且重复步骤a和步骤b，其中，当增大的初始化电压超过第一电压时，终止所述初始化， 其中，首先从所述初始化电压施加的第一初始化电压小于或等于漂移前处于置位状态的存储器单元的最大阈值电压，并且 所述第一电压在漂移读取窗口范围内，所述漂移读取窗口范围是所述漂移后预期的处于复位状态的存储器单元的最小阈值电压与所述漂移后预期的处于所述置位状态的所述存储器单元的所述最大阈值电压之间的电压范围。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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