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龙图腾网获悉琳得科株式会社申请的专利半导体芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114902377B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080090603.9，技术领域涉及：H01L21/301；该发明授权半导体芯片的制造方法是由篠田智则;根本拓;田村樱子;森下友尧;四宫圭亮设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体芯片的制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体芯片的制造方法，其依次包含下述工序S1～S4，·工序S1：准备半导体芯片制作用晶圆的工序，在该半导体芯片制作用晶圆中，在具有带凸块的凸块形成面的半导体晶圆的所述凸块形成面，以未达到背面的方式形成有作为分割预定线的槽部；·工序S2：将第一固化性树脂x1按压并贴付于所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面，利用第一固化性树脂x1覆盖所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面的同时，将所述第一固化性树脂x1嵌入在所述半导体芯片制作用晶圆形成的所述槽部的工序；·工序S3：使所述第一固化性树脂x1固化，得到带有第一固化树脂膜r1的半导体芯片制作用晶圆的工序；·工序S4：将带有所述第一固化树脂膜r1的半导体芯片制作用晶圆沿着所述分割预定线单片化，得到至少所述凸块形成面以及侧面被所述第一固化树脂膜r1覆盖的半导体芯片的工序；在所述工序S2之后且所述工序S3之前、在所述工序S3之后且所述工序S4之前、或者在所述工序S4中，还包含下述工序S‑BG，·工序S‑BG：研磨所述半导体芯片制作用晶圆的所述背面的工序。

本发明授权半导体芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片的制造方法，其依次包含下述工序S1～S4， ·工序S1：准备半导体芯片制作用晶圆的工序，在该半导体芯片制作用晶圆中，在具有带凸块的凸块形成面的半导体晶圆的所述凸块形成面，以未达到背面的方式形成有作为分割预定线的槽部； ·工序S2：将第一固化性树脂x1按压并贴付于所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面，利用第一固化性树脂x1覆盖所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面的同时，将所述第一固化性树脂x1嵌入在所述半导体芯片制作用晶圆形成的所述槽部的工序； ·工序S3：使所述第一固化性树脂x1固化，得到带有第一固化树脂膜r1的半导体芯片制作用晶圆的工序； ·工序S4：将带有所述第一固化树脂膜r1的半导体芯片制作用晶圆沿着所述分割预定线单片化，得到至少所述凸块形成面以及侧面被所述第一固化树脂膜r1覆盖的半导体芯片的工序； 在所述工序S2之后且所述工序S3之前、在所述工序S3之后且所述工序S4之前、或者在所述工序S4中，还包含下述工序S-BG， ·工序S-BG：研磨所述半导体芯片制作用晶圆的所述背面的工序， 所述工序S2通过如下方式实施：将具有层叠第一支承片Y1和所述第一固化性树脂x1的层X1而成的层叠结构的第一层叠体α1以所述层X1为贴付面按压并贴付于所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面， 在所述工序S2之后且所述工序S3之前包含所述工序S-BG， 所述工序S-BG通过如下方式实施：在贴付有所述第一层叠体α1的状态研磨所述半导体芯片制作用晶圆的所述背面后，将所述第一支承片Y1从所述第一层叠体α1剥离， 所述工序S4通过如下方式实施：将带有所述第一固化树脂膜r1的半导体芯片制作用晶圆的所述第一固化树脂膜r1中的形成于所述槽部的部分沿着所述分割预定线切断。

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