无锡华润上华科技有限公司赵景川获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695510B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011630768.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法是由赵景川;何乃龙;张森;张志丽;王浩设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底，具有第二导电类型；漂移区，设于所述衬底上，具有第一导电类型，第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；多层掺杂结构，设于所述漂移区中，每层掺杂结构包括至少一根沿导电沟道长度方向延伸的掺杂条；多根掺杂多晶硅柱,设于所述漂移区中,并从上至下贯穿至少一层掺杂结构的掺杂条，各所述掺杂多晶硅柱的掺杂离子的导电类型与各所述掺杂条的掺杂离子的导电类型相反。本发明由于形成了注入孔，因此离子注入不受深度的约束，并且可以在漂移区体内形成多重RESURF结构多个导电通道。能够提高击穿电压降低导通电阻。
本发明授权横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，具有第二导电类型； 漂移区，设于所述衬底上，具有第一导电类型，第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型； 多层掺杂结构，设于所述漂移区中，每层掺杂结构包括至少一根沿导电沟道长度方向延伸的掺杂条； 多根掺杂多晶硅柱,设于所述漂移区中,并从上至下贯穿所述多层掺杂结构的掺杂条，各所述掺杂多晶硅柱的掺杂离子的导电类型与各所述掺杂条的掺杂离子的导电类型相反； 其中，所述第一导电类型是N型，所述第二导电类型是P型，各所述掺杂条为P型掺杂，各所述掺杂多晶硅柱是N型掺杂。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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