浙江驰拓科技有限公司孙一慧获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种MRAM的自由层及其制备方法和MRAM的磁隧道结获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695649B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011622212.5，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种MRAM的自由层及其制备方法和MRAM的磁隧道结是由孙一慧;孟凡涛;简红;宫俊录设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MRAM的自由层及其制备方法和MRAM的磁隧道结在说明书摘要公布了：本发明属于磁阻器件技术领域，尤其涉及一种MRAM的自由层及其制备方法和MRAM的磁隧道结。本发明提供的自由层设置于势垒层上，包括至少两层磁性层，相邻磁性层之间设置有耦合层；每层所述磁性层均采用磁控溅射沉积而成；与所述势垒层相接触的磁性层在至少两种不同的磁控溅射功率下沉积形成，且在近势垒层一侧的磁控溅射功率最小。本发明在传统自由层结构基础上通过降低临近势垒层的磁性层沉积功率，可以在保持磁性层厚度不变的条件下，大幅提升自由层垂直磁各向异性场Hk，减小界面损伤，提升MRAM的数据保持能力dataretention。
本发明授权一种MRAM的自由层及其制备方法和MRAM的磁隧道结在权利要求书中公布了：1.一种MRAM的自由层，设置于势垒层上，其特征在于，包括至少两层磁性层，相邻磁性层之间设置有耦合层； 每层所述磁性层均采用磁控溅射沉积而成； 与所述势垒层相接触的磁性层在至少两种不同的磁控溅射功率下沉积形成，且在近势垒层一侧的磁控溅射功率最小； 与所述势垒层相接触的磁性层在近势垒层一侧的磁控溅射功率为10～150W；与所述势垒层相接触的磁性层中在最小磁控溅射功率下沉积的厚度为0.1～0.5nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江驰拓科技有限公司，其通讯地址为：311300 浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号