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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203716B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110006567.X，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权半导体存储装置是由永嶋贤史;荒井史隆设计研发完成，并于2021-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种抑制存储单元的倒塌并且使集成密度提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1积层体，沿着第1方向积层；第2积层体，沿着第1方向积层；及第1结构体，包含至少1个存储器结构体，且设置在第1积层体与第2积层体之间。至少1个存储器结构体包含第1半导体膜、第1电荷蓄积膜、第2半导体膜及第2电荷蓄积膜，第1积层体及第2积层体分别包含：第1部分、第2部分及第3部分，分别沿着与第1方向交叉的第2方向延伸，其中，第1部分在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上设置在第2部分与第3部分之间；第4部分，将第1部分与第2部分连接；及第5部分，将第1部分与第3部分连接；且第1积层体的第2部分在第3方向上设置在第2积层体的第1部分与第2积层体的第3部分之间。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 第1积层体，包含沿着第1方向积层的多个第1导电体； 第2积层体，包含沿着所述第1方向积层的多个第2导电体；及 第1结构体，包含至少1个存储器结构体，且设置在所述第1积层体与所述第2积层体之间； 所述至少1个存储器结构体包含： 第1半导体膜及第2半导体膜，分别沿着所述第1方向延伸； 第1电荷蓄积膜，在所述第1积层体与所述第1半导体膜之间沿着所述第1方向延伸；及 第2电荷蓄积膜，在所述第2积层体与所述第2半导体膜之间沿着所述第1方向延伸； 所述第1积层体及所述第2积层体分别包含： 第1部分、第2部分及第3部分，分别沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸，其中，所述第1部分在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上设置在所述第2部分与所述第3部分之间； 第4部分，将所述第1部分与所述第2部分连接；及 第5部分，将所述第1部分与所述第3部分连接；且 所述第1积层体的所述第2部分在所述第3方向上设置在所述第2积层体的所述第1部分与所述第2积层体的所述第3部分之间。

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