琳得科株式会社根本拓获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉琳得科株式会社申请的专利带保护膜的半导体芯片的剥离方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115023801B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180010299.7，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权带保护膜的半导体芯片的剥离方法是由根本拓;田村樱子;古野健太;古贺遥设计研发完成，并于2021-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本带保护膜的半导体芯片的剥离方法在说明书摘要公布了：本发明涉及带保护膜的半导体芯片的剥离方法、包括实施所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法的工序的带保护膜的半导体芯片的制造方法、以及包括实施所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法的工序的包含带保护膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法包括：工序S1：将多个带保护膜的半导体芯片以所述保护膜侧为贴合面贴合于粘合剂层X1的工序；工序S2：使所述多个带保护膜的半导体芯片中的一部分带保护膜的半导体芯片的所述保护膜的至少一部分升华而产生气体，使所述一部分带保护膜的半导体芯片与所述粘合剂层X1的粘接力降低的工序。
本发明授权带保护膜的半导体芯片的剥离方法在权利要求书中公布了：1.一种带保护膜的半导体芯片的剥离方法，其包括下述工序S1及下述工序S2， ·工序S1：将多个带保护膜的半导体芯片以所述保护膜侧为贴合面贴合于粘合剂层X1的工序； ·工序S2：使所述多个带保护膜的半导体芯片中的一部分带保护膜的半导体芯片的所述保护膜的至少一部分升华而产生气体，使所述一部分带保护膜的半导体芯片与所述粘合剂层X1的粘接力降低的工序， 使所述带保护膜的半导体芯片的所述保护膜为能够吸收激光的保护膜， 所述工序S2通过对所述一部分带保护膜的半导体芯片的所述保护膜的至少一部分照射所述激光而进行。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人琳得科株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号