南亚科技股份有限公司赖朝文获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有气隙区的半导体结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639633B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110171380.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权具有气隙区的半导体结构的制造方法是由赖朝文;龚耀雄设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有气隙区的半导体结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有气隙区的半导体结构的制造方法，包括：形成牺牲材料层及导电元件，牺牲材料层侧向邻接导电元件；在导电元件及牺牲材料层上形成遮罩图案；根据遮罩图案移除牺牲材料层的一部分，以露出剩余的牺牲材料层的侧表面；以及从剩余的牺牲材料层的侧表面进行等离子蚀刻工艺，以完全移除剩余的牺牲材料层而形成邻接导电元件的气隙区。此方法通过形成牺牲材料层、移除牺牲材料层的一部分以及从剩余的牺牲材料层的侧表面进行等离子蚀刻工艺以完全移除剩余的牺牲材料层，从而形成位于两导电元件之间的气隙区其介电常数为1，以有效降低两导电元件之间的寄生电容。
本发明授权具有气隙区的半导体结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有气隙区的半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 形成牺牲材料层及导电元件，所述牺牲材料层侧向邻接导电元件； 在所述导电元件及所述牺牲材料层上形成遮罩图案； 根据所述遮罩图案移除所述牺牲材料层的一部分，以露出剩余的所述牺牲材料层的一侧表面；以及 从剩余的所述牺牲材料层的所述侧表面进行等离子蚀刻工艺，以完全移除剩余的所述牺牲材料层而形成邻接所述导电元件的所述气隙区，其中剩余的所述牺牲材料层的宽度小于或等于5纳米。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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