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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利天线及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115349199B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180000484.8，技术领域涉及：H01Q9/04；该发明授权天线及其制备方法是由吴倩红;张东东;于海;张亚飞;曲峰设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本天线及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种天线及其制备方法，属于通信技术领域。本发明的天线，其包括：介质层；参考电极层，设置在介质层的第一表面上，且参考电极层具有至少一个开槽；至少一个辐射结构，设置在介质层的第二表面上；其中，辐射结构包括间隔设置的多个辐射部；对于任一辐射部均包括间隔设置的辐射元件；任一辐射结构中的多个辐射部至少包括第一辐射部和第二辐射部；至少一条第一微带线和至少一条第二微带线，设置在介质层的第二表面上；一条第一微带线被配置为一个第一辐射部中的辐射元件进行馈电，一条第二微带线被配置为一个第二辐射部中的辐射元件进行馈电，且第一微带线的馈电方向与第二微带线的馈电方向不同。

本发明授权天线及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种天线，其包括： 介质层，具有相对设置的第一表面和第二表面； 参考电极层，设置在所述介质层的第一表面上，且所述参考电极层具有至少一个开槽； 至少一个辐射结构，设置在所述介质层的第二表面上，且一个所述辐射结构在所述介质层上的正投影位于一个所述开槽在所述介质层的正投影内；其中，所述辐射结构包括间隔设置的多个辐射部；对于任一所述辐射部均包括间隔设置的辐射元件；任一所述辐射结构中的多个辐射部至少包括第一辐射部和第二辐射部； 至少一条第一微带线和至少一条第二微带线，设置在所述介质层的第二表面上；一条所述第一微带线被配置为一个所述第一辐射部中的所述辐射元件进行馈电，一条所述第二微带线被配置为一个所述第二辐射部中的所述辐射元件进行馈电，且所述第一微带线的馈电方向与第二微带线的馈电方向不同； 所述天线还包括第一馈电结构和第二馈电结构，所述第一馈电结构和所述第二馈电结构均位于所述介质层的第二表面上，且所述第一馈电结构与所述第一微带线在所述介质层上的正投影至少部分重叠，所述第二馈电结构与所述第二微带线在所述介质层上的正投影至少部分重叠； 所述天线划分为馈电区和辐射区；所述第一馈电结构和所述第二馈电结构位于所述馈电区；所述辐射结构位于所述辐射区；所述参考电极层还具有位于所述馈电区的至少一个辅助开槽；所述辅助开槽与所述第一馈电结构和第二馈电结构在所述介质层上的正投影无重叠；所述参考电极层的位于所述馈电区部分的外轮廓与所述第一馈电结构的外轮廓相同，所述参考电极层的位于馈电区部分的外轮廓与所述第二馈电结构的外轮廓相同。

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