台湾积体电路制造股份有限公司陈宪伟获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法和制造半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113517220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110307241.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其制造方法和制造半导体结构的方法是由陈宪伟;陈洁;陈明发设计研发完成，并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法和制造半导体结构的方法在说明书摘要公布了：半导体器件包括位于电路上方的第一钝化层和位于第一钝化层上方的导电焊盘，其中，导电焊盘电连接至电路。第二钝化层设置在导电焊盘和第一钝化层上方，并且具有第一开口和第二开口。第一开口暴露在导电焊盘下面延伸的层的上表面，并且第二开口暴露导电焊盘。第一绝缘层设置在第二钝化层上方并填充第一开口和第二开口。衬底通孔延伸穿过绝缘层、第二钝化层、钝化层和衬底。衬底通孔和第二钝化层的侧具有填充有第一绝缘层的间隙。导电通孔延伸穿过第一绝缘层并连接至导电焊盘。本申请的实施例还涉及制造半导体结构和半导体器件的方法。
本发明授权半导体器件及其制造方法和制造半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上方形成导电焊盘； 在所述导电焊盘上方形成钝化层； 在所述钝化层中形成第一开口，并且在所述钝化层中形成第二开口，其中，所述第二开口暴露所述导电焊盘，并且其中，所述第一开口与所述导电焊盘间隔开且在所述第二开口外部，并且所述第一开口暴露在所述导电焊盘下面延伸且与所述导电焊盘物理接触的层的上表面； 在所述第一开口中形成第一导电通孔，其中，所述第一导电通孔延伸至所述半导体衬底中；以及 在所述第二开口中形成第二导电通孔，其中，所述第二导电通孔连接至所述导电焊盘。
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