台湾积体电路制造股份有限公司李泳福获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光刻系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113791520B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110560714.8，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光刻系统和方法是由李泳福;郑文豪设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻系统和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及光刻系统和方法。一种光刻曝光系统包括：光源；衬底台；以及掩模台，沿着从光源到衬底台的光路，在光源和衬底台之间。该光刻曝光系统还包括沿着光路的反射器。该反射器包括：第一层，具有第一材料和第一厚度；第二层具有第一材料和不同于第一厚度的第二厚度；以及第三层，位于第一层和第二层之间，并具有不同于第一材料的第二材料。
本发明授权光刻系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻曝光系统，包括： 光源； 衬底台； 掩模台，沿着从所述光源到所述衬底台的光路在所述光源和所述衬底台之间；以及 反射器，沿着所述光路，所述反射器包括： 多个第一材料层，其中，所述第一材料层包括钼； 多个第二材料层，其中，所述第二材料层包括硅； 多个第三材料层，其中，所述第三材料层包括钌； 多个第四材料层，其中，所述第四材料层包括锶； 其中，所述第一材料层、所述第二材料层、所述第三材料层和所述第四材料层的位置、材料和厚度是非周期性的并且是非交替的。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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