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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110768540.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的制造方法和半导体结构是由吕游设计研发完成，并于2021-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制造方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底内具有第一接触层和第二接触层；形成初始电连接层；形成下层掩膜层，下层掩膜层包括相邻的第一图案区和第二图案区；在基底的上表面，两个第一接触层的正投影落入一个第一图案区的正投影内，一个第二接触层的正投影落入一个第二图案区的正投影内；图案化第一图案区以形成两个相互分立的第一子图案区；刻蚀初始电连接层，以形成相互分立的第一电连接层和第二电连接层，第一电连接层对应第一子图案区，第二电连接层对应第二图案区。本发明实施例能够降低半导体结构内部发生短路的风险。

本发明授权半导体结构的制造方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底内具有相互分立的至少两个第一接触层和至少一个第二接触层； 形成初始电连接层，所述初始电连接层与所述第一接触层和所述第二接触层电连接； 在初始电连接层上形成下层掩膜层，所述下层掩膜层包括相互分立的至少一个第一图案区和至少一个第二图案区，所述第一图案区与所述第二图案区相邻；在所述基底的上表面一个所述第二接触层的正投影落入一个所述第二图案区的正投影内； 图案化所述下层掩膜层的第一图案区，以形成相互分立的至少两个第一子图案区，其中，一个所述第一子图案区位于所述第二图案区与另一所述第一子图案区之间；在所述基底的上表面，一个所述第一接触层的正投影落入一个所述第一子图案区的正投影内； 以所述下层掩膜层为掩膜，刻蚀所述初始电连接层以形成相互分立的至少两个第一电连接层和至少一个第二电连接层，每一所述第一电连接层与每一所述第一子图案区一一对应且电连接到对应的所述第一接触层，每一所述第二电连接层与每一所述第二图案区一一对应且电连接到对应的所述第二接触层。

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