应用材料公司弗拉基米尔·纳戈尔尼获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于半导体处理的等离子体源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115868001B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180050336.7，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用于半导体处理的等离子体源是由弗拉基米尔·纳戈尔尼设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体处理的等离子体源在说明书摘要公布了：本技术包含等离子体源，等离子体源包括第一板，所述第一板限定以第一组列布置的第一多个孔口。第一板可包括第一组电极，所述第一组电极沿第一组列中单独的列延伸。等离子体源可包括第二板，所述第二板限定以第二组列布置的第二多个孔口。第二板可包括第二组电极，所述第二组电极沿第二组列中单独的列延伸。第二多个孔口中每一孔口可与第一多个孔口中的孔口轴向对准。等离子体源可包括定位于第一板与第二板之间的第三板。第三板可限定第三多个孔口。
本发明授权用于半导体处理的等离子体源在权利要求书中公布了：1.一种等离子体源，所述等离子体源包含： 第一板，所述第一板限定以第一组列布置的第一多个孔口，其中所述 第一板包含第一组电极，所述第一组电极中的每一电极沿所述第一组列的单独列延伸； 第二板，所述第二板限定以第二组列布置的第二多个孔口，其中所述 第二板包含第二组电极，所述第二组电极中的每一电极沿所述第二组列中的单独列延伸，且其中所述第二多个孔口中的每一孔口与所述第一多个孔口中的孔口轴向对准；及 第三板，所述第三板定位于所述第一板与所述第二板之间，其中所述第三板限定第三多个孔口，所述第三多个孔口中的每一孔口与所述第一多个孔口中的孔口及所述第二多个孔口中的孔口轴向对准，其中所述第一组电极中的每一电极沿所述第一板的第一表面延伸，且其中所述第一组电极中的每一电极进一步完全地沿与相关联的电极相交的所述第一多个孔口中的每一孔口的侧壁从所述第一板的所述第一表面到所述第一板的第二表面延伸，所述第二表面与所述第一表面相对。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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