南亚科技股份有限公司吕增富获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110923104.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体元件及其制备方法是由吕增富设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一存储电容器、一存取晶体管以及至少一导电特征，而该至少一导电特征电性耦接该存储电容器到该存取晶体管。该基底具有至少一绝缘特征，该至少一绝缘特征界定出多个主动区，其中，该存取晶体管的多个掺杂区位在该主动区中。该存储电容器设置在该基底上，以及该导电特征从该存储电容器延伸进入该基底设置有其中一掺杂区的一部分处。因此，增加该存取晶体管与该导电特征之间的一接触面积，且提升该紧密的半导体元件的一操作速度。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基底，包括多个绝缘特征，该多个绝缘特征是界定出多个主动区； 一存储电容器，位在该基底上； 一存取晶体管，包括多个掺杂区，该多个掺杂区位在该主动区中；以及 至少一导电特征，从该存储电容器延伸进入到该基底，以用于电性耦接该存储电容器到该存取晶体管， 其中该导电特征包括一下部以及一上部，该下部位在该基底中，该上部插置在该基底与该存储电容器之间，该下部具有一第一临界尺寸，以及该上部具有一第二临界尺寸，该第二临界尺寸大于该第一临界尺寸；其中该基底中的该导电特征的该下部不与该基底中的该多个绝缘特征中的任何一个接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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