格芯(美国)集成电路科技有限公司M·D·莱维获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利多晶填充形状和选择性有源器件下方具有多晶隔离区的结构及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078743B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110924121.5，技术领域涉及：H01L21/763；该发明授权多晶填充形状和选择性有源器件下方具有多晶隔离区的结构及相关方法是由M·D·莱维;S·P·埃杜苏米利设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本多晶填充形状和选择性有源器件下方具有多晶隔离区的结构及相关方法在说明书摘要公布了：本发明涉及多晶填充形状和选择性有源器件下方具有多晶隔离区的结构及相关方法。一种结构包括绝缘体上半导体SOI衬底，其包括半导体衬底、位于半导体衬底上方的掩埋绝缘体层和位于掩埋绝缘体层上方的SOI层。该结构还包括第一有源器件和第二有源器件。至少一个多晶有源区填充形状位于SOI层中。多晶隔离区位于掩埋绝缘体层下方的半导体衬底中。多晶隔离区位于第一有源器件下方，但不位于第二有源器件下方。多晶隔离区延伸到半导体衬底中的不同深度。第一和第二有源器件可以包括单晶有源区，第三多晶有源区也可以位于多晶隔离区上方的SOI层中。
本发明授权多晶填充形状和选择性有源器件下方具有多晶隔离区的结构及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 绝缘体上半导体SOI衬底，其包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上方的掩埋绝缘体层，以及位于所述掩埋绝缘体层上方的SOI层； 位于所述SOI层中的至少一个多晶有源区填充形状； 位于所述SOI层中的第一有源器件和第二有源器件；以及 位于所述掩埋绝缘体层下方的所述半导体衬底中的多晶隔离区， 其中所述多晶隔离区位于所述第一有源器件下方，但不位于所述第二有源器件下方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人格芯(美国)集成电路科技有限公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号