长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115708206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110956294.5，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体结构及其制备方法是由刘志拯设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括：衬底、导电图案层、支撑层以及重布线层。导电图案层设置于衬底上。支撑层覆盖导电图案层，且具有过孔。重布线层设置于支撑层上，重布线层包括：至少位于过孔内的测试焊盘。测试焊盘包括相间设置且互连的多个测试接触部和多个凹部，其中，所述凹部与导电图案层的位于过孔内的部分对应接触。本公开提供的半导体结构及其制备方法，不仅可以避免半导体结构的良率因晶圆验收测试受损，还有利于实现半导体结构尺寸的进一步微缩。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 衬底； 导电图案层，设置于所述衬底上； 支撑层，覆盖所述导电图案层，且具有过孔； 以及，重布线层，设置于所述支撑层上；所述重布线层包括：至少位于所述过孔内的测试焊盘；所述测试焊盘包括相间设置且互连的多个测试接触部和多个凹部，其中，所述凹部与所述导电图案层的位于所述过孔内的部分对应接触； 其中，相邻两个所述测试接触部顶部之间的间隙小于相邻两个所述测试接触部底部之间的间隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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