长鑫存储技术有限公司寗树梁获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111038541.X，技术领域涉及：H01L23/34；该发明授权半导体结构是由寗树梁;何军;刘杰;应战设计研发完成，并于2021-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种半导体结构，包括：第一晶圆，第一晶圆内具有若干存储芯片；第二晶圆，第二晶圆内具有若干逻辑芯片，第二晶圆的第一面与第一晶圆的第一面连接，并使存储芯片和逻辑芯片电连接；基板，基板内设置有液体管道，基板与第一晶圆的第二面相接触，基板用于在存储芯片工作前向液体管道内通入加热溶液，以将存储芯片加热到预设温度；其中，第一晶圆的第二面与第一晶圆的第一面相对设置。在存储芯片工作前，通过向液体管道中通入加热溶液将存储芯片加热到预设温度，增加了开始工作时数据传输并存储在存储芯片中的速率，使得内存写入恢复时间内数据能完整的写入存储芯片，消除了开始工作时存储芯片不能写入完整数据对半导体结构整体性能的影响。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一晶圆，所述第一晶圆内具有若干存储芯片； 第二晶圆，所述第二晶圆内具有若干逻辑芯片，所述第二晶圆的第一面与所述第一晶圆的第一面连接，并使所述存储芯片和所述逻辑芯片电连接； 基板，所述基板内设置有液体管道，所述基板与所述第一晶圆的第二面相接触，所述基板用于在所述存储芯片工作前向所述液体管道内通入加热溶液，以将所述存储芯片加热到预设温度，所述基板还用于在所述存储芯片工作时向所述液体管道内通入冷却溶液，以降低所述半导体结构的温度； 其中，所述第一晶圆的第二面与所述第一晶圆的第一面相对设置。
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