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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝阵列结构及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831918B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111093646.5，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权反熔丝阵列结构及存储器是由池性洙设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本反熔丝阵列结构及存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种反熔丝阵列结构及存储器，包括：多个反熔丝集成结构，在位线延伸方向和字线延伸方向排列成反熔丝矩阵；反熔丝集成结构包括：共用有源区的第一反熔丝存储MOS管、第一开关管、第二开关管和第二反熔丝存储MOS管；第一开关管和第二开关管分别通过相邻两根字线控制，第一开关管和第二开关管的共用端与位线连接，第一反熔丝存储MOS管和第二反熔丝存储MOS管分别通过相邻的编程导线控制，且在位线延伸方向上，编程导线还用于控制相邻反熔丝集成结构。以实现相同容量的存储阵列仅需占用更小的布局面积，从而在原有布局面积的基础上，增大反熔丝存储单元之间的间距。

本发明授权反熔丝阵列结构及存储器在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝阵列结构，其特征在于，包括： 多个反熔丝集成结构，在位线延伸方向和字线延伸方向排列成反熔丝矩阵，所述位线延伸方向和所述字线延伸方向相交； 每一反熔丝集成结构包括：沿有源区的延伸方向依次设置的第一反熔丝存储MOS管、第一开关管、第二开关管和第二反熔丝存储MOS管，且所述第一反熔丝存储MOS管、所述第一开关管、所述第二开关管和所述第二反熔丝存储MOS管共用所述有源区，所述有源区的延伸方向分别与所述位线的延伸方向和所述字线延伸方向相交； 所述第一开关管和第二开关管分别通过相邻两根字线控制，所述第一开关管和第二开关管的共用端与位线连接，所述第一反熔丝存储MOS管和第二反熔丝存储MOS管分别通过相邻的编程导线控制，且在位线延伸方向上，所述编程导线还用于控制相邻反熔丝集成结构； 所述有源区包括有源区主体，所述有源区主体的长度方向为所述有源区的延伸方向，在所述有源区的延伸方向上，所述有源区主体各处的宽度相同； 所述有源区还包括凸起部，所述凸起部设置在所述有源区主体的至少一侧，在所述有源区的延伸方向上，所述凸起部的长度小于所述有源区主体的长度，且所述有源区中部宽度大于所述有源区两端宽度。

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