旺宏电子股份有限公司洪敏峰获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利三维AND快闪存储器元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115835646B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111155697.6，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维AND快闪存储器元件及其制造方法是由洪敏峰;曾碧山设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维AND快闪存储器元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：栅极叠层结构，位于介电基底上，其中所述栅极叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层；多个通道柱，穿过所述栅极叠层结构；多个第一导体柱与多个第二导体柱，位于所述多个通道柱内，且与所述多个通道柱电性连接；多个电荷储存结构，位于所述多个栅极层与所述通道柱之间；以及多个隔离墙，埋在所述多个栅极层中，所述多个隔离墙包覆所述多个第二导体柱外侧壁的所述多个电荷储存结构。
本发明授权三维AND快闪存储器元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维AND快闪存储器元件，包括： 栅极叠层结构，位于介电基底上，其中所述栅极叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层； 多个通道柱，延伸穿过所述栅极叠层结构； 多个第一导体柱与多个第二导体柱，位于所述多个通道柱内，且与所述多个通道柱电性连接； 多个电荷储存结构，位于所述多个栅极层与所述通道柱之间；以及 多个隔离墙，埋在所述多个栅极层中，所述多个隔离墙包覆所述多个第二导体柱外侧壁的所述多个电荷储存结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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